無論波長如何,LED 的發光原理都是相同的,并且基于半導體的 pn 結。當電場施加到p型半導體時,空穴移動,而在n型半導體中,電子移動。就能量而言,n型半導體中存在的電子具有較高的能帶,與p型半導體中空穴存在的能帶產生間隙。
如果在這里施加電場來擾動電子和空穴,電子將從n型能帶躍遷到p型能帶。結果,電子和空穴碰撞,產生與能隙相對應的光和熱并消失。由于能帶隙根據半導體的成分而變化,因此可以通過組合材料來調整發射波長。
砷化鋁鎵 (AlGaAs) 通常用于輸出近紅外波段的波長。總的來說,紅外LED還存在發光效率比可見光LED低的問題。
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