近日,國務院印發了《推動大規模設備更新和消費品依舊換新行動方案》,要求“到2027年,工業、農業、建筑、交通、教育、文旅、醫療等領域設備投資規模較2023年增長25%以上”。在設備實施更新行動中,更明確指出:推動符合條件的高校、職業院校(含技工院校)更新置換先進教學及科研技術設備,提升教學科研水平。
Quantum Design中國積極響應政策要求,提供世界范圍內全新優質設備以及全面升級的技術解決方案,助力本次更新行動更加順暢、高效的進行!
主要用于電學、磁學、微波、THz、光學等多種測量,可以根據客戶需要,選擇不同的溫度和磁場配置。
M81-SSM(同步源和測量)系統消除了多種特定功能儀器安裝的復雜性,一臺儀表可提供源、測量和鎖相功能,可進行各種高精度的電學測量功能。
采用全新的FastHall測量專丶利技術,在測量過程中無需翻轉磁場,尤其是在使用強磁場超導磁體或測量極低遷移率材料時,可以實現更快、更精確的測量。
通過不同測試選件,可以選擇15 K至1273 K溫度環境,測量0.5 µΩ~200 GΩ的電阻,確定載流子濃度和載流子遷移率與溫度的關系等。
可進行電學和各種磁學測量,測量快速方便,磁測量精度維持10-8emu頂尖水平。
提供9、12、14T多種型號超導磁體,無縫銜接50mK稀釋制冷機,提供電學、磁學、熱學多種測量方案。
低溫強磁場,兼顧VSM、各向異性磁阻測試,鐵磁共振測試等。
極低溫強磁場Raman掃描成像;0.12 nm極低震動;1.65K-300K,9T-12T&矢量磁場。
無液氦超低震動(0.12 nm);溫度和磁場:1.65K-300 K,9T,12T,矢量磁場;兼容MFM/CFM/RAMAN/NV色心等模式測量。
0.12 nm極低震動;1.65K-300K,9T-12T&矢量磁場,配備各種低溫消色差物鏡,NA大于0.8。
20-50 nm空間分辨率;無液氦超低震動(0.12 nm);溫度和磁場:1.65K-300 K,9T,12T,矢量磁場。
無液氦低溫10K AFM/qPlusAFM系統;全溫區實現原子級分辨圖像;與UFO腔體/MBE/PLD/LEED/APERS真空互聯。
極低溫強磁場下的NV色心測量;無液氦超低震動;溫度和磁場:1.65K-300 K,9T,12T,矢量磁場;集成低溫物鏡。
10K全自動干式高真空低溫恒溫器;10 nm空間分辨 s-SNOM和nano-FTIR;兼容紅外到THz波段光源。
兼具7T磁場、1.7K低溫、超低震動、自由光路、近工作距離,可進行MOKE、RMCD、Raman、PL等光譜測量。
Janis提供多種多樣的低溫恒溫器,最丶低溫度至1.5K,大范圍的樣品溫度能適用于大部分的科研實驗。根據不同需求,可以選擇樣品處于真空環境或交換氣體環境中。
5 nm超低震動,10 mK溫度穩定性,自由光路,大數值孔徑,電學通道,配置靈活。
XAFS和XES兩種測量模式;常規實驗室環境使用, 無需同步輻射光源; 集成各種原位反應池。
用于晶體定向測試,操作簡單,測試快速,配備六軸樣品臺。
單角度一次入射,快速、準確獲得殘余應力。
熱電材料性能評價的經典設備。
最大溫差500℃,測試熱電器件的轉換效率/發電量。
適用于小模塊熱電器件的測量,可測單一樣品。
全新一代的8600系列VSM,具有超高的靈敏度和超快的采集速度,可以滿足各類磁學測量。產品設計方面也進行了升級,軟件功能更強大,設備操作更簡單。
10-12emu靈敏度,單條回線1s內可以獲得,適合微區磁滯回線和磁疇觀測。
大圓晶樣品非接觸無損測量;載流子遷移率, 散射時間, 濃度分析;電導率和電阻率分析。
集成多種AFM、SEM和EDS功能,實現材料二維和三維的形貌、成分分析、力學性能、電學性能,磁學性能表征。
5kV加速電壓,多種成像模式;高亮度、高對比度、體積小巧;操作簡單,維護成本極低。
10-25kV加速電壓,多種成像模式,配有EDS;高亮度、高對比度、分辨率高;操作簡單,維護成本極低。
小巧易用,三次鼠標點擊可得到納米級形貌,性價比高,滿足各類樣品納米尺度快速表征的需要。
500 nm分辨紅外和拉曼顯微成像;無損反射式測量+透射測量;紅外+拉曼同步測量。
超高空間分辨和時間分辨同時實現探測;空間分辨率20-50 nm,Pump光源時間分辨可達50 fs。
10 nm空間分辨率近場光學成像與光譜測量;特殊高階解調背景壓縮技術,兼容可見光、紅外、超快和太赫茲。
實現納米級THz成像和光譜學測量;兼容寬帶和單頻THz信號 ;復雜材料中的電學測量。
10 nm空間分辨率的納米傅里葉變換紅外光譜;靈敏度高,適應于有機、生物、化學等材料高精度鑒別。
一套設備、一束激光實現三種超快光譜探測:瞬態吸收光譜TAS、相干拉曼光譜ISRS、多維相干光譜MDCS。
無需掩膜板,結構小巧緊湊;高分辨率(0.4 μm);適應于MEMS、微流控、芯片等納米結構制備。
溫度梯度優化方案,溫度反饋控制,最高溫度3000°C。
最高溫度3000°C,最高壓力300bar,可生長多種單晶樣品。
高效鍍金橢球反射鏡,占地面積小,操作簡單。
多片基片/批量粉末制備;溫度條件精確控制;小巧機身設計:75x56x28 cm。
金屬有機物熱蒸發、磁控濺射、共濺射、反應濺射、配置靈活、功能齊全、智能控制。
可快速制備石墨烯的小型CVD系統,最快30分鐘即可完成整個過程,完備的智能、安全性設計。
超高精準刻蝕,可逐層刻蝕石墨烯,可制造面內缺陷,可對清洗石墨基材表面。
通過離子束工藝來調控薄膜和異質結構,可用于半導體工藝,以及MRAM、斯格明子,磁性隧道結等多種磁性研究。
500 nm分辨紅外和拉曼顯微成像;無損反射式測量+透射測量;紅外+拉曼同步測量。
XAFS和XES兩種測量模式;常規實驗室環境使用, 無需同步輻射光源; 集成各種原位反應池。
高分辨率(0.32Hz)、高靈敏度(30:1)無液氦核磁,采用特殊先進的信號探測技術,可實現1H/13C/19F/23Na/29Si/31P/11B/7Li/119Sn等雜核探測。
原位即時空間分辨光譜(Operando Spectroscopy)對催化反應動力學監測,可視化測量物質在反應器不同位置的實時狀態。
10 nm空間分辨率的納米傅里葉變換紅外光譜;靈敏度極丶高,適應于有機、生物、化學等材料高精度鑒別。
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