化學氣相沉積設備的介紹:
采用雙溫區滑軌式CVD系統由雙溫區滑軌爐、質子流量控制系統、真空系統三部分組成。雙溫區滑軌爐可移動并可實現快速升降溫;PLC控制5路質子流量器,能夠精確控制系統的供氣;真空泵可實現對管式爐快速抽真空。
化學氣相沉積設備的結構:
該設備采用雙層殼體并帶有風冷系統,使其爐體表面溫度都小于55℃,爐底安裝一對滑軌,可手動滑動,以便滿足特殊工藝的快速升降溫的求。 化學氣相沉積設備兩個加熱區的長度都是200mm分別由獨立的溫控系統控制。爐管內氣壓不可高于0.02MPa,當爐體溫度高于1000℃時,爐管內不可處于真空狀態,爐管內的氣壓需和大氣壓相當,保持在常壓狀態進入爐管的氣體流量需小于200SCCM,以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊石英管的長時間使用溫度<1100℃。對于樣品加熱的實驗,不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關注壓力表的示數,若氣壓表示數大于0.02MPa,必須立刻打開泄氣閥,以防意外發生(如爐管破裂,法蘭飛出等)。
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