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少子壽命測定儀原理

來源:北京中慧天誠科技有限公司   2020年12月07日 11:50  

高頻光電導少數載流子壽命測試儀用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量,除需要有一個測量平面外,對樣塊體形嚴格要求,可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內金屬雜質污染及缺陷存在的情況,是單晶質的重要檢測項目。

子壽命測定儀產品簡介:
高頻光電導少數載流子壽命測試儀儀器采用GB/T1553-1997中硅單晶少數載流子壽命測定高頻光電導衰減法,主于測量高阻長壽命單晶,現在已經在半導體材料有限公司、研究所、峨嵋半導體材料廠、半導體材料有限公司等投入使用。
少子壽命測定儀參數:
測試單晶電阻率范圍:ρ﹥2Ω•cm
可測單晶少子壽命范圍:5μs~10000μs
紅外光源配置: 波長1.06~1.09μm
儀器測量重復誤差:﹤±25%
測量方式:采用數字示波器直接讀數方式
消耗功率:﹤50W
工作條件:
溫        度:10-35℃
濕        度:﹤65%
使用電源:AC220V 50HZ(建議配置穩壓電源)
可測單晶尺寸:
斷面豎測:
直        徑:25mm-150mm
厚        度:2mm-500mm
縱向臥測:
直        徑:5mm-20mm
長        度:50mm-800mm
高頻振蕩源:用石英諧振器,振蕩頻率30MHZ
前置放大器,放大倍數約25,頻寬2HZ-2MHZ
可根據已知壽命樣品調校測量壽命值,可調范圍廣

 

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