牛津儀器等離子技術Mark Dineen博士為您解讀

來源：深圳市譜賽斯科技有限公司 2017年01月05日 11:36

為射頻器件提供更快刻蝕方式 — 牛津儀器等離子技術Mark Dineen博士為您解讀

對射頻器件來說，平穩快速的碳化硅背部刻蝕對高性能、高性價比的半導體來說是至關重要的。正如氮化鎵高功率射頻器件市場，牛津儀器提供了一種易于制造深孔刻蝕的工藝。牛津儀器等離子技術市場Mark Dineen博士稱在《復合半導體》刊物中就此技術做出闡述。

“就在上個月，牛津儀器等離子技術展示了使用PlasmaPro 100 Polaris刻蝕系統對碳化硅進行深孔刻蝕的工藝。

當寬帶隙材料對氮化鎵高功率射頻器件越來越重要時，單晶圓刻蝕系統須呈現出更快更平穩的深孔碳化硅刻蝕，旨在為氮化鎵、藍寶石和碳化硅晶片等進行快速刻蝕。

通往平穩刻蝕碳化硅的道路任重而道遠。碳化硅背面刻蝕對通過氮化鎵晶體管形成一個接觸電極而言至關重要。然而，堅硬的碳化硅材質對刻蝕而言是一辛苦的工藝，世界各地的研究人員正在努力克服尋求應對較好處理襯底材質硬度接近鉆石的方法。牛津儀器等離子技術為您解答…”

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