高純度精煉的鎵(Ga)是半導體化合物砷化鎵的主要原料，可用作高溫溫度計的填充物、溫度標準物質及熔點較低的合金材料，是現代電子產業(yè)*的元素之一，隨著高純度鎵的需求增大，對雜質含量的檢驗成為*的環(huán)節(jié)。本文建立了利用珀金埃爾默ICP-OES分析高純度銦 (In)、鎵(Ga) 中的雜質的解決辦法。
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