在半導體設備的生產過程中，許多流程中都要用到各種酸類試劑。其中重要的是鹽酸（HCl），其主要用途是與過氧化氫和水配制成混合物用來清潔硅晶片的表面。由于半導體設備尺寸不斷縮小，其生產中使用的試劑純度變得越來越重要，這是因為即使是少量雜質也會導致設備的失效。 SEMI 標準規定的是金屬雜質的大濃度（SEMI 標準 C27-07081 用于鹽酸），而半導體設備的生產商對雜質濃度的要求往往更加嚴格，這樣
電感耦合等離子體質譜（ICP-MS）具備測定納克 / 升（ng/L，PPT）甚至更低濃度元素含量的能力，是測量痕量及超痕量金屬的技術。然而，常規的測定條件下，氬、氧、氫離子會與酸基體相結合，對待測元素產生多原子離子干擾。
珀金埃爾默公司的 NexION® 2000 電感耦合等離子體質譜儀（ICP-MS）可提供多種*消除多原子離子干擾的方式。具有三路氣體通道的通用池在反應模式下具備大的做樣靈活性。由于通用池是由四極桿組成的，具備四極桿的所有功能，包括通過調整四極桿的“q”參數控制通用池中的化學反應進行。這一優勢使得在池內使用高反應性氣體成為可能，這大大提高了干擾去除的能力。在三路氣體通道可用的情況下，三種不同的氣體可以在同一次進樣中自由切換，得以選擇出針對某一特定干擾消除的*反應氣體。在鹽酸分析中，除去氯的干擾是至關重要的，目前有效的反應氣是高純氨氣和高純氧氣。表 1 為在鹽酸分析中可能的多原子離子干擾。
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