任何金屬雜質的存在都將對IC器件的可靠性產生不利影響。在半導體實驗室進行其他半導體材料分析時也常常會使用硝酸，因此使用的硝酸需要具有高純度和高質量。由于具有快速測定各種工藝化學品中超痕量濃度待測元素的能力，電感耦合等離子體質譜儀（ICP-MS）已成為了質量控制*的分析工具。然而，在傳統的等離子體條件下，往往存在氬離子與基質成分結合產生多原子干擾的情況。使用多極和非反應氣體的碰撞池已被證明可以有效減少多原子干擾。但是這種方法必須使用動能歧視去除反應產生的副產物，這將會造成靈敏度的下降。NexION 300 ICP-MS配置的通用池技術同時提供了碰撞模式、反應模式和標準模式三種測定模式，因此儀器操作人員可以根據實際測定的要求選擇適合的模式，并能在一個分析方法中進行不同模式的切換。本應用報告證明了NexION 300ICP-MS去除干擾，從而在使用高溫等離子體的條件下通過一次分析就能夠對HNO3中全部痕量水平的雜質元素進行測定的能力。這一實驗在一次測定中同時使用標準模式和反應模式可以得到好的分析結果。
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