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搭載全新5G SoC芯片，采用7nm+EUV制成工藝的國產手機5G版重磅來襲！！

將5G基帶集成到SoC上，創新的達芬奇架構，全新的16核GPU，使得您的手機運行更快更自然。手機性能的快速提升，歸根結底是半導體產業的蓬勃發展。

半導體產業最上游是IC設計公司與硅晶圓制造公司，IC設計公司依客戶的需求設計出電路圖，硅晶圓制造公司則以多晶硅為原料制造出硅晶圓。中游的IC制造公司主要的任務就是把IC設計公司設計好的電路圖移植到硅晶圓制造公司制造好的晶圓上。完成后的晶圓再送往下游的IC封測廠實施封裝與測試，即大功告成！

 

硅片是半導體制造業的基礎材料，硅片表面極其少量的無機雜質元素污染都可能器件的功能喪失或者可靠性變差，例如：

• 堿金屬及堿土金屬（Li、Na、K、Ca、Mg、Ba等）污染會導致元件擊穿電壓降低；
• 過渡金屬與重金屬（Fe、Cr、Ni、Cu、Au、Mn、Pb等）污染可使元件的壽命縮短，或者使元件工作時的暗電流增大；
• 滲透元素（B、Al、As等）本身用于形成元件，如果是污染，則改變了元件的工作點，使器件產生工作錯誤等；

硅片表面及處理硅片過程中所使用試劑中的無機元素監測是硅片制造及使用過程中的流程，也是提升元器件性能的重要方法及指標。

賽默飛四極桿型ICP-MS

針對半導體硅片表面及處理硅片所使用試劑中的無機元素雜質含量均為痕量級別，且待測元素種類多，四極桿型ICP-MS由于其檢出限低、分析速度快等優點被廣泛應用于半導體行業中無機雜質元素的分析中。賽默飛可為您提供iCAP RQ單四極桿ICP-MS及iCAP TQ三重串聯四極桿型ICP-MS。

iCAP RQ 單四極桿ICP-MS

 

隨著半導體行業的不斷發展，半導體行業無機雜質元素檢出可能低至1ppt。對此，賽默飛專門推出半導體專用串聯四極桿型iCAP TQs ICP-MS：

iCAP TQs 三重四極桿ICP-MS

 

性能優勢

• 符合人體工程學；
• 緊湊型設計，適用于與在線監測系統和氣相蝕刻系統集成使用；
• 自適應化學惰性進樣系統確保最小的污染以得到可重復穩定數據；
• 穩健性能，一次分析中采用結合熱和冷等離子體方式；
• 通過軟件流程實驗全自動并簡化的日常分析工作；
• 易于安裝，需要的安裝尺寸小，對潔凈室和生產場地要求小；
• 標配He, O?, H?, NH? 4路碰撞反應氣體，能夠消除ICP-MS測試過程中遇到的多原子離子干擾；標配有機加氧裝置，可直接分析半導體行業遇到的有機試劑；
• 標配干泵，降低泵的使用及維護成本；避免油泵帶來的油霧顆粒，降低潔凈間的維護成本；
• 穩健可靠的冷焰模式，同一方法中可實現不同模式切換；冷、熱等離子體間切換，儀器長期穩定性依然好；
• 專門Reaction Finder功能，智能推薦反應產物，簡化方法開發流程，是提升方法開發的有效手段；Q1精確實現1amu的質量篩選，能更好的降低質譜干擾的形成；
• 的結構設計令操作及儀器維護更簡單；

 

實驗數據

硅片經VPD處理后會以溶液的形式被收集，經VPD掃描的硅會在處理過程中與HF反應被除去，掃描液中硅的含量很低，對儀器沒有耐高鹽的要求，采用標配iCAP TQs ICP-MS對樣品進行分析，測試元素為半導體常規關注元素。分析方法經過Reaction Finder的優化，測試結果真實可靠。

 

為驗證TQs ICP-MS在半導體硅片樣品測試中的穩定性，對掃描液進行加標100ng/L，連續測試兩個小時。測試結果表明，半導體所關注的元素在兩個小時內RSD值均在5% 以內，證明儀器的穩定性能良好。

 

賽默飛針對半導體行業不僅可以提供無機元素分析儀器ICP-MS，還能提供離子色譜用于陰離子分析及GC-MS用于廠務氣體中揮發性有機物的分析。除此之外，賽默飛還為客戶提供物理失效分析、電子失效分析等分析儀器。綜上賽默飛可為半導體企業提供完整的解決方案，助力中國半導體企業騰飛！