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賽默飛世爾科技（中國）有...

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315 | 賽默飛為半導體行業提供貨真價實的完整解決方案

閱讀：3 發布時間：2024-11-20

條題為「以國家安全為由終止半導體博通收購高通」的新聞，在半導體行業圈引起了熱議，因為這筆交易如果達成，將是半導體行業迄今的一筆收購。

為什么此行業會讓美國總統都如此關注呢？就讓小編給您簡單分析一下，并帶來我們為您準備的一大波干貨吧。通俗地說，我們日常生活中的電視機、電腦及時刻不離手的手機中的核心單元都和半導體有極為密切的關聯。

在《國家集成電路產業發展推進綱要》和國家集成電路產業投資資金的推動下，中國半導體市場已成為增長引擎。半導體之于集成電路，如同土地之于城市。世界各國都把集成電路產業作為戰略性產業來對待，競相投入大量的人力、物力和資金。所以，很多觀點認為，如果不制止這項收購計劃，博通收購高通后將一家獨大，這將嚴重影響美國在該領域的技術進步速度，可能導致美國今后在移動通訊領域的國際競爭中處于下風。

但是，對國家經濟發展非常重要的半導體行業卻面臨一些技術難題，如單晶硅錠和晶圓的品質、清洗劑和刻蝕劑中的離子態雜質、金屬雜質、有機物雜質等，會使生產良率受到影響，從而導致經濟效益下降。

賽默飛可為半導體及相關行業的關鍵環節提供技術支撐及完整解決方案，如痕量金屬元素及無機元素雜質檢測方案、痕量離子態雜質檢測方案、RoHS 解決方案、環境安方案，滿足分析需求。

在正舉辦的中國國際半導體設備和材料展（ SENICON CHINA）上，賽默飛推出了新品 Thermo Scientifi?c™ iCAP™ TQs ICP MS。

電感耦合等離子體質譜儀（ICP-MS）可以輕松實現高純試劑（清洗劑和刻蝕劑）中痕量元素雜質實驗室和在線分析、單晶硅錠和晶圓中痕量元素分析、wafer 表面痕量元素分析及 RoHS 指令中鉛（Pb）、鎘（Cd）、汞（Hg）、六價鉻（Cr ( VI )）等重金屬元素的測定。

而 iCAP TQs ICP MS 是信譽的 iCAP TQ ICP-MS 的專用半導體版本。它提供了超高純度化學品中快速、可靠和可重復的低水平污染物測量，以支持半導體生產過程的自動化在線監測和統計過程控制。在一個高性能解決方案中提供了新的超低檢測水平和簡單性。有了這個新系統，如今將化學分析從實驗室移到工廠成為可能，并支持對化學浴進行在線控制，從而優化響應時間。

提問

iCAP TQs ICP-MS 功能如此強大，能解決哪些技術難題呢？

01 痕量金屬及無機元素雜質檢測方案

（1）VPD 溶液的分析
氣相分解- 電感耦合等離子體質譜聯用（VPD-ICP-MS）法，具有業界所需的檢測限和穩定性，測試結果快速可靠，廣泛應用于硅晶片的測試，硅晶片的純度一般要求在 99.9999999% 以上。

純度要求如此之高，這就到了 ICP-MS 大顯身手的時候了！

VPD 樣品中含有高含量的酸和硅基體，并且目標檢測元素的含量通常也非常低，由于基體溶液會產生大量的多原子離子干擾（如表一所示），所以說 VPD 溶液的測試是挑戰性的。為了得到更加精確的結果，干擾的去除是非常必要的，比如使用串接式等 ICP-MS，高分辨 ICP-MS 和使用碰撞反應池等技術。

（2）半導體級異丙醇的分析

異丙醇（IPA）用清洗硅片的溶劑時，會與硅片表面直接接觸，因此，必須控制其痕量金屬雜質濃度。采用靈敏高的 ICP-MS 技術直接分析 IPA 可為 IPA 中超痕量分析物（ng ? L-1）提供有用的控制，并避免由樣品制備引起的污染。

ICAP TQs ICP-MS 結合了三重四極桿和冷等離子體技術，該高度靈活的方法實現了半導體行業分析所需的超痕量背景等效濃度（BEC）和檢測限（LOD）。

校正數據

圖 4 顯示了 IPA 中 Li、P、K、Ti、As、Zr 和 Ta 的校正曲線。采用校正標準品在 ng·L-1 級水平范圍內測得的校正曲線呈現出優異的線性和靈敏度。通過三重四極桿模式和冷等離子體得到改善的干擾去除可實現更具挑戰性分析物的低背景噪聲。

02 RoHS 解決方案

賽默飛為 RoHS 指令中的有害物質多溴聯苯、多溴二苯醚阻燃劑、鄰苯二甲酸酯和多環芳烴等有害物質的測定提供加速溶劑萃取（ASE）前處理、氣相色譜（GC）、氣相色譜- 質譜聯用儀（GC-MS）和高效液相色譜儀（HPLC）等檢測技術，并提供原子吸收光譜儀（AAS）、電感耦合等離子發射光譜儀（ICP-OES）、電感耦合等離子體- 質譜儀（ICP-MS）和離子色譜儀（IC）用于測定鎘、鉛和汞，分離并測定六價鉻。具體詳情可參考《RoHS 指令檢測產品及技術——色譜質譜及光譜儀綜合解決方案》或與我們聯系。