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| 產地類別 | 進口 | 價格區間 | 1萬-5萬 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 環保,能源,電子,電氣,綜合 | 組成要素 | 自由電子激光器 |
日本Pascal緊湊型激光MBE裝置超真空系統 PASCAL/日本 LMBE 特點介紹
易于操作的設計可以輕松控制各種沉積條件
該裝置是通過用激光照射放置在超高真空沉積室中的目標材料來進行激光燒蝕，并將該材料沉積在放置在相對位置的基板上以形成沉積膜的裝置。
它由成膜室、真空排氣系統、靶材旋轉單元、紅外燈基板加熱單元和負載鎖定室單元組成。
該裝置的特點包括紅外燈基板加熱裝置，即使在氧氣氣氛（超過500 mTorr）下也可以將基板加熱到800°C以上，
而這在以前是很困難的，以及允許樣品輸送的機構到沉積室而不將其暴露在大氣中。
日本Pascal緊湊型激光MBE裝置超真空系統 PASCAL/日本 LMBE 規格參數
高度可擴展的超高真空激光 MBE (PLD) 系統
極限真空 6.7×10 -7 Pa以下（5×10 -9 Torr）
配備紅外線燈加熱裝置，可將2英寸板材加熱至800℃以上。
6 種類型的目標可用
通過負載鎖定室單元在真空中輕松更換靶材和基材
可選端口：可連接各種組件
可選擇計算機全自動控制、控制器電手動控制或兩者兼有。
成膜室及真空排氣系統 腔體形狀： φ300mm×500mmH 圓柱形
極限真空：6.7×10 -7 Pa以下（5×10 -9 Torr）
磁懸浮渦輪泵800L/s
目標旋轉單位 φ20mm×6軸
自轉/公轉電機驅動（PC控制或電手動控制）
基材加熱裝置 紅外線燈基板加熱裝置 （可改為半導體激光基板加熱裝置）
板尺寸：1.5英寸（或2英寸）
基材加熱溫度：800℃以上
組合掩模單元 無（可選）
RHEED單位 無（可選）
負載鎖定室單元 腔體形狀： φ160mm×240mmH 圓柱形
傳輸桿
存儲數量：2個板架、4個靶架
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