四探針測(cè)試儀型號(hào)：BN/RTS-4

四探針測(cè)試儀

四探測(cè)試儀是運(yùn)用四探測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。

儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成，測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示，亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀(guān)、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠(chǎng)、半導(dǎo)體器件廠(chǎng)、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。
技術(shù)指標(biāo)
測(cè)量范圍 
電阻率：0.0001～2000Ω.cm(可擴(kuò)展)； 
方塊電阻：0.001～20000Ω/□(可擴(kuò)展)；
電導(dǎo)率：0.0005～10000 s/cm；
電阻：0.0001～2000Ω；
可測(cè)晶片直徑 
140mmX150mm(配S-2A型測(cè)試臺(tái))；
200mmX200mm(配S-2B型測(cè)試臺(tái))；
400mmX500mm(配S-2C型測(cè)試臺(tái))；
恒流源：電流量程分為0.1mA、1mA、10mA、100mA四檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表：量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、量程自動(dòng)顯示；
四探探頭基本指標(biāo) 間距：1±0.01mm；
間絕緣電阻：≥1000MΩ；
機(jī)械游移率：≤0.3%；
探：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探探頭應(yīng)用參數(shù) (見(jiàn)探頭附帶的合格證)
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行) 0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機(jī)測(cè)量大相對(duì)誤差 (用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 ≤5%
軟件功能（選配）軟件可記錄、保存、打印每一點(diǎn)的測(cè)試數(shù)據(jù)，并統(tǒng)計(jì)分析測(cè)試數(shù)據(jù)大值、小值、平均值、大百分變化、平均百分變化、徑向不均勻度、并將數(shù)據(jù)生成直方圖，也可把測(cè)試數(shù)據(jù)輸出到Excel中，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析。軟件還可選擇自動(dòng)測(cè)量功能，根據(jù)樣品電阻大小自動(dòng)選擇適合電流量程檔測(cè)試。
計(jì)算機(jī)通訊接口：并口，高速并行采集數(shù)據(jù)，連接電使用時(shí)采集數(shù)據(jù)到電的時(shí)間只需要1.5秒
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 溫度：23±2℃；
相對(duì)濕度：≤65%；
無(wú)高頻干擾；
無(wú)強(qiáng)光直射；