目錄:蘇州華維納納米科技有限公司>>LDW-L納米激光直寫系統>> HWN-L4新型納米激光直寫系統
應用領域 | 化工 | 激光波長 | 405nm |
---|---|---|---|
特征尺寸 | 100nm | 激光功率 | 120mW至300mW(可選) |
芯片尺寸 | 4英寸 | 刻寫范圍 | 50mm×50mm至100mm×100mm(可選) |
HWN-L4新型納米激光直寫系統擅長wafer尺寸的研究開發和小批量生產
HWN-L4新型納米激光直寫系統是一款大面積、高精度、可套刻、超衍射極限加工的激光直寫系統,可用于晶圓尺寸的大面積微納加工,適用于各種微納結構和器件制造、小批量微納器件生產等。該系列包括L50、L100等不同型號,具有功能強大、維護簡單、加工分辨率高、支持多種刻寫模式、支持多種受體材料等特征。另外,本系統在設計之初保留了充足的物理空間和硬件資源,以滿足后續功能升級換代的需求,使產品具有更長的生命周期。
蘇州華維納納米科技有限公司于2011年注冊成立的高科技創新型公司,主要從事新型納米光刻技術和無掩模納米光刻機的研發和產業化工作。