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| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電子,交通,電氣,綜合 | 組成要素 | 半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備 |
| 波長 | C波段 | 功率 | 10~20mw |
| 通信協(xié)議 | RS232 | 封裝形式 | 臺式、模塊 |
氣體檢測CH4 1647nm激光器
溫控尾纖激光器系列，采用量子阱結(jié)構(gòu)的DFB激光器，內(nèi)置半導(dǎo)體制冷器，*激光焊接工藝實(shí)現(xiàn)蝶形（butterfly）尾纖式封裝，結(jié)構(gòu)緊湊，體積小，在光纖通信領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用；半導(dǎo)體制冷器高精度溫度控制下，激光器功率高穩(wěn)定、波長高穩(wěn)定的優(yōu)勢，使得激光器在光纖傳感器領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
特征 | 應(yīng)用 |
采用進(jìn)口量子阱結(jié)構(gòu)DFB半導(dǎo)體激光器芯片 | 光纖氣體檢測系統(tǒng) |
波長穩(wěn)定 | 氣體檢測用無源器件生產(chǎn)檢測 |
高輸出功率 | |
氣密性溫控封裝 | |
封裝形式：BF14 尾纖式、TF8 空間式、TO39 及其他定制 |
額定極限工作條件：
參 數(shù) | 符號 | 參數(shù)值 | 單 位 |
激光二極管正向電流 | If(LD) | 100 | mA |
激光二極管反向電壓 | Vr(LD) | 2 | V |
背光探測器工作電流 | If(PD) | 2 | mA |
背光探測器反向電壓 | Vr(PD) | 20 | V |
致冷器工作電流 | ITEC | 2.4 | A |
致冷器工作電壓 | VTEC | 2.9 | V |
工作溫度 | Topr | -20～+70 | ℃ |
儲存溫度 | Tstg | -40～+85 | ℃ |
引線焊接溫度/時(shí)間 | Tsld | 260/10 | ℃/s |
技術(shù)參數(shù)：（測試環(huán)境溫度為25℃）
參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
出光功率 | PO | CW | 3 | 10 | mW | |
閾值電流 | Ith | CW | ? | 12 | 18 | mA |
工作電流 | Iop | CW, 5mW | - | ? | 100 | mA |
工作電壓 | Vop | CW, 5mW | ? | 1.5 | 2.0 | V |
斜率效率 | η | CW, 5mW | 0.05 | 0.1 | ? | mW/mA |
峰值波長 | λp | CW, 5mW@25℃ | λc -1 | λc | λc+ 1 | nm |
波長穩(wěn)定度 | λs | CW，5mW@25℃ | -0.1nm | +0.1 | dB | |
邊模抑制比 | SMSR | CW, 5mW | 35 | ? | ? | nm |
光譜寬度(20dB) | ?λ | CW, 5mW | ? | 0.2 | nm/℃ | |
波長隨溫度變化漂移系數(shù) | Δλ/T | 穩(wěn)定工作電流 | 0.1 | nm/℃ | ||
波長隨電流變化漂移系數(shù) | Δλ/I | 穩(wěn)定工作溫度 | 0.01 | nm/mA | ||
熱敏電阻 | Rth | Ttherm = 25oC | 9.5 | 10 | 10.5 | k? |
注意:
氣體檢測中，根據(jù)HITRAN提供的吸收譜線數(shù)據(jù)，同一種氣體通常幾個(gè)吸收峰，客戶應(yīng)先根據(jù)自己的系統(tǒng)需要選擇最佳中心波長位置。
氣體吸收參考表:
氣體成分 | 吸收波長 |
O2 | 761nm、764nm (VCSEL) |
HF | 1268.7nm、1273nm、1278nm |
H2O | 1368.59nm、1392nm |
NH3 | 1512nm |
C2H2 | 1532.68nm |
CO | 1567nm |
H2S | 1578nm |
Co2 | 1580nm、2.0um |
C2H4 | 1620nm、1627nm |
CH4 | 1647nm、1650.9nm、1653.7nm、1660nm |
HCl | 1742nm |
氣體檢測CH4 1647nm激光器
氣體激光器利用氣體作為工作物質(zhì)產(chǎn)生激光的器件。它由放電管內(nèi)的激活氣體、一對反射鏡構(gòu)成的諧振腔和激勵源等三個(gè)主要部分組成(圖1)。主要激勵方式有電激勵、氣動激勵、光激勵和化學(xué)激勵等。其中電激勵方式常用。在適當(dāng)放電條件下，利用電子碰撞激發(fā)和能量轉(zhuǎn)移激發(fā)等，氣體粒子有選擇性地被激發(fā)到某高能級上，從而形成與某低能級間的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，產(chǎn)生受激發(fā)射躍遷。
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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