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半導體五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。

在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電性能具有可控性。

在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。

晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點陣，稱為晶格。

共價鍵結構：相鄰的兩個原子的一對最外層電子（即價電子）不但各自圍繞自身所屬的原子核運動，而且出現在相鄰原子所屬的軌道上，成為共用電子，構成共價鍵。

自由電子的形成：在常溫下，少數的價電子由于熱運動獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子。

空穴：價電子掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子而留下一個空位置稱空穴。

電子電流：在外加電場的作用下，自由電子產生定向移動，形成電子電流。

空穴電流：價電子按一定的方向依次填補空穴（即空穴也產生定向移動），形成空穴電流。

本征半導體的電流：電子電流+空穴電流。自由電子和空穴所帶電荷極性不同，它們運動方向相反。

載流子：運載電荷的粒子稱為載流子。

導體電的特點：導體導電只有一種載流子，即自由電子導電。

本征半導體電的特點：本征半導體有兩種載流子，即自由電子和空穴均參與導電。

本征激發：半導體在熱激發下產生自由電子和空穴的現象稱為本征激發。

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