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當(dāng)前位置:> 供求商機(jī)> 去離子超純水設(shè)備
去離子超純水設(shè)備是反滲透設(shè)備跟離子交換混床或EDI相結(jié)合配套使用,離子交換混床是通過(guò)離子交換樹脂在電解質(zhì)溶液中進(jìn)行的,可去除水中的各種陰、陽(yáng)離子,是目前制取高純水工藝流程中不可替代的手段。離子交換器分為陽(yáng)離子交換器、陰離子交換器等。 當(dāng)原水通過(guò)離子交換柱時(shí),水中的陽(yáng)離子和水中的陰離子(HCO3-等離子)與交換柱中的陽(yáng)樹脂的H+離子和陰樹脂的OH-離子進(jìn)行交換,從而達(dá)到脫鹽的目的。陽(yáng)、陰混柱的不同組合從而達(dá)到脫鹽的目的。陽(yáng)、陰混柱的不同組合可使水質(zhì)達(dá)到更高的要求。
去離子超純水設(shè)備的主要特點(diǎn):
1.產(chǎn)水水質(zhì)高而具有較佳的穩(wěn)定度高
2.連續(xù)不間斷制水,不因再生而停機(jī)。
3.模塊化生產(chǎn),并可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)控制。
4.不須酸堿再生,無(wú)污水排放。
5.無(wú)酸堿再生設(shè)備和化學(xué)藥品儲(chǔ)運(yùn)。
6.設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊,占地面積小。
7.運(yùn)行費(fèi)用及維修成本低
8.運(yùn)行操作簡(jiǎn)單,勞動(dòng)強(qiáng)度低
超純水系統(tǒng)進(jìn)水要求
反滲透RO產(chǎn)水,電導(dǎo)率1-20μs/cm,較大允許電導(dǎo)率≤30μs/cm(NaCl)。
pH值: 7.5—9
溫度: 15℃--35℃
進(jìn)水壓力(DIN):0.15—0.4MPa
濃水進(jìn)水壓力(C ) 0 10 0 3MP IN): 0.10—0.3MPa
產(chǎn)水壓力(DOUT):0.05—0.25MPa
濃水出水壓力(COUT): 0.02—0.2MPa
進(jìn)水硬度:<1.0ppm(以CaCO 計(jì))(推薦0 5ppm以下)
進(jìn)水有機(jī)物:TOC<0.5ppm
進(jìn)水硅:SiO2<0.5ppm
進(jìn)水總CO2:<3ppm
進(jìn)水顆粒度:<1μm
1、給水:RO純水,一般水的電導(dǎo)率為4-30us/cm。
2、PH:5.0-8.0(在此PH條件下,水硬度不能太高)
3、溫度:5-35℃
4、進(jìn)水壓力:較大為4kg/cm2(60psi),較小為1.5kg/cm2(25psi)。
應(yīng)用領(lǐng)域:1、電解電容器生產(chǎn)鋁箔及工作件的清洗。
2、電子管生產(chǎn)、電子管陰極涂敷碳酸鹽配液。
3、顯像管和陰極射線管生產(chǎn)、配料用純水。
4、黑白顯像管熒光屏生產(chǎn)、玻殼清洗、沉淀、濕潤(rùn)、洗膜、管徑清洗用純水。
5、液晶顯示器的生產(chǎn)、平面需用純水清洗及純水配液。
6、晶體管生產(chǎn)中主要用于清洗硅片,另有少量用于藥液配制。
7、集成電路生產(chǎn)中高純水清洗硅片、高品質(zhì)顯像管、熒光粉生產(chǎn)。
8、半導(dǎo)體材料、器件、印刷電路板和集成電路。
9、LCD、LED液晶顯示屏、PDP等離子顯示屏。
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