PlasmaStar 200/200 RIE 反應離子刻蝕系統 等離子刻蝕機

一、反應離子刻蝕機PlasmaStar 100儀器介紹

PlasmaSTAR®系列等離子處理系統適合處理所有的材料，擁有多種腔室和電極配置，可滿足不同的等離子工藝和基片尺寸。占地面積小，用于各種等離子工藝的模塊化腔室和電極配置。此外，觸摸屏計算機控制，多級程序控制和組件控制，操作簡單。PlasmaSTAR®模塊化腔室和電極組件是該系統的功能。 腔室材料是硬質陽極氧化鋁， 有幾種不同的電極設計，包括用于反應離子刻蝕（RIE）和平面處理的水冷平板電極，用于表面清洗或處理的交替多層托盤電極，用于最小化離子損傷的下游電極，和用于普通的圓柱形籠式電極。
1、腔體尺寸：直徑≥200mm，深度≥280mm；

2、腔體材質：硬質陽極氧化鋁矩形腔體；

3、處理腔背面材質：鋁；

4、處理腔門：要求全自動腔門；

5、兩路工藝氣體，≥2路質量流量控制器控制氣體流量，氣體輸入腔室帶勻流設計；

6、射頻功率：0~600W連續可調，13.56MHz，自動匹配，自然風冷；

7、配備RIE平面水冷平板電極；

8、7英寸及以上顯示器、觸摸屏、圖形用戶界面；

9、程序控制：觸摸屏電腦控制，無線程序存儲；

10、Windows操作系統，兼容Windows office軟件，USB接口，可進行外部電腦遠程控制的功能；

11、狀態和出錯信息提示，過程數據和出錯信息存儲，可選擇自動和手動操作模式，過程數據可以導出，工藝參數以圖形方式呈現，可實時監控，自動實現泄露檢測；

12、配套緊急急停按鈕（EMO)，配套電路斷路器，機械聯鎖（門傳感器）和真空聯鎖（壓力開關），通過軟件可進行遠程的真空聯鎖；

13、典型的光刻膠刻蝕速率：80nm/min；

14、典型工藝均勻性：≥±10%；