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廣東德瑞檢測(cè)設(shè)備有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第3年

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當(dāng)前位置:廣東德瑞檢測(cè)設(shè)備有限公司>>老化試驗(yàn)箱>>PCT老化試驗(yàn)箱>> DR-H308IC-PCT高壓加速壽命老化箱

IC-PCT高壓加速壽命老化箱

參  考  價(jià):19999 - 199999 /件
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)

    DR-H308

  • 品牌

    Derui/德瑞檢測(cè)

  • 廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)商

  • 所在地

    東莞市

更新時(shí)間:2024-11-22 14:44:42瀏覽次數(shù):375次

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產(chǎn)地類別 國(guó)產(chǎn) 價(jià)格區(qū)間 1萬-5萬
應(yīng)用領(lǐng)域 電子,航天,汽車,電氣,綜合 設(shè)備類型 IC-PCT高壓加速壽命老化箱
產(chǎn)地 東莞 溫度均勻度 ±1℃
電源 380V/50Hz
IC-PCT高壓加速壽命老化箱是一種專門用于模擬環(huán)境條件,對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行老化試驗(yàn)的設(shè)備。在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中,各種產(chǎn)品的質(zhì)量和性能是十分重要的,而產(chǎn)品的老化試驗(yàn)則是評(píng)估其可靠性和耐用性的重要手段。通過模擬高溫高濕的環(huán)境,對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定的老化試驗(yàn),以驗(yàn)證其耐用性和性能表現(xiàn)。

IC-PCT高壓加速壽命老化箱


PCT,即Pressure Cooker Test,也被稱為加速老化試驗(yàn),是一種模擬高溫高濕的環(huán)境條件的試驗(yàn)方法。通過將產(chǎn)品放置在高溫高濕的環(huán)境中,加速產(chǎn)生各種老化現(xiàn)象,例如材料老化、電路老化等。通過持續(xù)測(cè)試和觀察,可以了解產(chǎn)品在長(zhǎng)時(shí)間使用和暴露于惡劣環(huán)境中的情況,進(jìn)而對(duì)其可靠性進(jìn)行評(píng)估。

試驗(yàn)箱采用高品質(zhì)的材料和*進(jìn)的技術(shù),以確保試驗(yàn)的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。箱體采用厚重的不銹鋼材料制造,具有優(yōu)異的耐腐蝕性和強(qiáng)度,能夠承受高溫和高濕的試驗(yàn)環(huán)境。同時(shí),裝備有*進(jìn)的溫濕度控制系統(tǒng),可以精確控制試驗(yàn)過程中的溫度和濕度變化,保證試驗(yàn)的穩(wěn)定性和可靠性。

廣泛應(yīng)用于電子、電器、汽車、機(jī)械等領(lǐng)域,用于對(duì)各種產(chǎn)品進(jìn)行可靠性和耐久性的評(píng)估。例如,在電子行業(yè)中,可以用于測(cè)試電子元件、半導(dǎo)體芯片、電路板等在高溫高濕環(huán)境下的工作狀態(tài)和可靠性;在汽車行業(yè)中,可以用于測(cè)試汽車零部件的耐久性和性能表現(xiàn)。通過試驗(yàn)箱的使用,可以加快產(chǎn)品的研發(fā)和改進(jìn)流程,提高產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。


IC-PCT高壓加速壽命老化箱技術(shù)參數(shù):

規(guī)格

1.內(nèi)箱尺寸: 300×450 mm(φ×D)圓形試驗(yàn)箱.

2.外箱尺寸: 600×920×690 mm(W×H×D)

3.內(nèi)箱材質(zhì) : SUS 316#不銹鋼板材質(zhì).

4.外箱材質(zhì): 高級(jí)烤漆。

5.溫度范圍 : 105℃~132℃.  (飽和蒸氣溫度).

6.濕度范圍 : 100%RH .  (飽和蒸氣濕度).

7.壓力范圍(表上壓力) : 0.2Kg/cm2~2.0 Kg/cm2或(2.2 Kg/cm2)控制點(diǎn)壓力 (安全壓力容量3.5Kg/cm2 ).

8.時(shí)間范圍: 0 ~ 999 小時(shí)可調(diào).

9.溫度分布: ≤± 2.0℃.

10.升溫時(shí)間:常溫 ~ 135℃約40分鐘內(nèi). (控制點(diǎn)溫度).

11.加壓時(shí)間:0.0Kg/cm2 ~ 2.2Kg/cm2 約45分鐘內(nèi)(控制點(diǎn)壓力).

12.控制對(duì)象:微電腦+P.I.D.+S.S.R自動(dòng)演算控制飽和蒸氣溫度.

13.控制方式:微電腦PID控制.

14.控制精度: ≤± 0.5℃.

15.解析精度:0.1℃.









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