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795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips
  • 795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips
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貨物所在地:上海上海

更新時間:2024-07-12 21:00:06

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795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測,以及795nm用于Rb原子鐘實驗,還有852nm用于CS原子冷卻。
795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips總覽

Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測,以及795nm用于Rb原子鐘實驗,還有852nm用于CS原子冷卻。

795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips產品特點

● 垂直腔面發射激光器

● 窄線寬 

● 內部TEC和熱敏電阻       

● 2 nm TEC的可調性

● 為銣共振激發而設計TO46&TEC

● 特定工作條件:激光電流IOP = 2 mA 目標波長 λt = 794.7 nm @ TOP (由TEC調節)

封裝及尺寸

產品尺寸

fz.png

fz1.png


管腳配置(單位mm)

pz.png

產品應用

● CPT原子鐘

● 光學相干實驗

技術參數

參數

符號

小值

典型值

大值

單位

備注

入射波長

λ

794.7nm

TO溫度

TTO

-10


55


芯片溫度

TOP

20


55

由TEC調節

閾值電流

ITH


0.5


mA


輸出功率

Popt

0.25


1.00

mW


閾值電壓

UTH


1.80


V


激光電壓

UOP


2.3


V


電光轉換率

ηWP


12


%


斜率效能

ηS


0.3


W/A


微分串聯電阻

RS


250


Ω


相對噪聲強度

RIN


-130

-120

dB/Hz

@ 1 GHz

波長調諧電流



0.6


nm/mA


波長調諧溫度



0.06


nm/K


熱電阻

Rthermal

3


5

K/mW


邊模式抑制


25



dB


光束發散度

θ

10


25

°

滿1/e2帶寬

光譜帶寬

Δν


30


MHz


TEC電流

ITEC

加熱時-300


冷卻時+500

mA

需適當散熱器

NTC熱敏電阻


9.5

10.0

10.5

TOP = 25°C,

IOP = 0, ITEC =   0

NTC溫度依賴性


10/exp[3892·(1/298K-1/TOP)]



975.png

大值

● 儲存溫度                 -40~125°C    

● TO工作溫度             -40~85°C

● 正向激光電流           3mA        

● VSEL反向電壓          3V  

● 焊接溫度*                270C°

● *TEC 溫度必須低于   150°C


波長選擇標準:

參數

符號

小值

典型值

大值

單位

備注

入射波長

λ0

792.7


794.7

nm

@TOP = 20°C,   IOP = 2mA

目標波長

λt


794.7


nm

TEC調節


光譜圖

gp.png

LIV

lvi.png

TEC電流調諧下的溫度/波長


637705201012097201906.jpg


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