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目錄:筱曉(上海)光子技術有限公司>>光電探測器>>InGaAs銦鎵砷光電二極管>> InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)
  • InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)
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具體成交價以合同協議為準
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  • 品牌 其他品牌
  • 型號
  • 廠商性質 經銷商
  • 所在地 上海
屬性

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更新時間:2022-09-14 11:30:13瀏覽次數:975評價

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產地類別 進口 應用領域 化工,能源,建材,電子
InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測等領 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求,實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。

InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測等領 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求,實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。

光譜響應
900-1700nm
響應度
@1550nm 0.85 A/W
技術參數

線性模式參數

產品型號

IGA-APD-GM104-R

參數

符號

單位

測試條件

最小

典型

最大

反向擊穿電壓

VBR

V

22±3 ,ID =10μA

60

80

90

響應度

Re

A/W

22±3 ,λ =1550nm ,M =1

0.8

0.85


暗電流

ID

nA

22±3 ,M =10


0.1

0.3

電容

C

pF

22±3 M =10, f=1MHz



0.25

擊穿電壓溫度 系數

η

V/K

-40 ~80℃,ID =10μA



0.15


蓋革模式參數


參數

單位

測試條件

最小

典型

最大

單光子探測效 率PDE

%

-45 λ =1550nm, 0.1ph/pulse

泊松分布單光子源

20



暗計數率DCR

kHz

-45℃ ,1ns門寬, 2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



 

20*

后脈沖概率 APP


-45℃ ,1ns門寬, 2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



 

1× 10-3

時間抖動Tj

ps

-45℃ ,1ns 門 寬 ,2MHz門控重頻,PDE=20%



100

* 可提供不同等級規格產品

產品特點

● 光譜響應范圍0.9~1.7μm 

● 高探測效率、低暗計數率 

● 3 pin TO46

尺寸規格

TO46 (尾纖封裝)

APD1.png

產品應用

● 弱光探測

● 量子保密通信 

● 生物醫療

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