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價格區間 | 面議 | 應用領域 | 綜合 |
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組件類別 | 光學元件 |
GaSe 硒化鎵 NIR-IR近紅外非線性光學晶體(晶體/窗片)
GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體,擁有六邊形結構的62m空間點群,300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線性系數大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數,這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源,GaSe發射-探測系統能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取,我們可以實現對THz波的頻率可選擇性控制。
注:GaSe晶體的解理面為(001),因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟,易碎。
公司簡介
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