哈默納科行星減速機(jī)CSG-45-80-GH-J2PGE一般來說，互連材料淀積在硅片表面，然后有選擇性地去除它，就形成了由光刻技術(shù)定義的電路圖形。這種有選擇性地去除材料的工藝過程，叫做刻蝕，在顯影檢查完后進(jìn)行，刻蝕工藝的正確進(jìn)行非常關(guān)鍵，否則芯片將不能工作。更重要的是，一旦材料被刻蝕去掉，在刻蝕過程中所犯的錯(cuò)誤將難以糾正。刻蝕的要求取決于要制作的特征圖形的類型，如合金復(fù)合層、多晶硅柵、隔離硅槽或介質(zhì)通孔。

哈默納科行星減速機(jī)CSG-45-80-GH-J2PGE光刻包括兩種基本的工藝類型：負(fù)性光刻和正性光刻。負(fù)性光刻把與掩模版上圖形相反的圖形復(fù)制到硅片表面。正性光刻把與掩模版上相同的圖形復(fù)制到硅片上。這兩種基本工藝的主要區(qū)別在于所用光刻膠的種類不同。光刻工藝過程包括8個(gè)基本步驟：氣相成底模、旋轉(zhuǎn)涂膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)和曝光、曝光后烘培、顯影、堅(jiān)膜烘培、顯影檢查。

光刻的本質(zhì)是把臨時(shí)電路結(jié)構(gòu)復(fù)制到以后要進(jìn)行刻蝕和離子注入的硅片上。這些結(jié)構(gòu)首先以圖形形式制作在稱為掩模版的石英膜版上，然后用紫外光透過掩模版把圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面的光敏薄膜上。芯片大批量生產(chǎn)工藝中的光刻以紫外光刻為主。掩模板制作也使用光刻工藝，但是，通常使用電子束、離子束進(jìn)行曝光。

 然后用一種化學(xué)刻蝕工藝把薄膜圖形成像在下面的硅片 上，或者被送到離子注入工作區(qū)來完成硅片上圖形區(qū)中可選擇的摻雜。轉(zhuǎn)移到硅片上的各種各樣的圖形確定了器件的眾多特征，例如：通孔、器件各層間必要的金屬互連線以及硅摻雜區(qū)。從物理上說，集成電路是由許許多多的半導(dǎo)體元器件組合而成的，對(duì)應(yīng)在硅晶圓片上就是半導(dǎo)體、導(dǎo)體以及各種不同層上的隔離材料的集合。