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具體成交價以合同協議為準

產品分類 品牌分類

產品簡介

產地類別	國產	價格區間	1萬-2萬
應用領域	化工,生物產業,能源,電氣,綜合

覆銅板介電常數損耗測試儀1.平板電容器:

極片尺寸:Φ50mm/Φ38mm可選

極片間距可調范圍:≥15mm

2. 夾具插頭間距:25mm±0.01mm

3. 夾具損耗正切值:≤4×10-4 (1MHz)

4.測微桿分辨率:0.001mm

詳細介紹

覆銅板介電常數損耗測試儀在相同添加量情況下，ｌＯＯｎｍ制備的復合材料的介電常數明顯高于添加其他顆粒大小的復合材料。這表明添加近ｌＯＯｎｍＢＴ的復合材料的界面極化能力介質損耗和介電常數是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復合材料等的一項重要的物理性質,通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(ε),可進一步了解影響介質損耗和介電常數的各種因素,為提高材料的性能提供依據。隨著頻率的升高，復合材料的介電損耗都是先降低在急劇升高。復合材料的介電損耗大致有兩種，一種為極化損耗，一種為電導損耗。在低頻條件下，大多發生電導損耗。通常情況下在頻率１００ｋＨｚ以下時，由于復合材料的介電常數較高且隨著頻率的升高而降低，因此其電導損耗也較高且隨著頻率的升高而降低。而隨著頻率高過１００ｋＨｚ時，復合材料材料的電導損耗降低，其主要為極化損耗，由于電介質的分子為極性分子，在高頻情況下分子得到轉向和位移極化都會需要一定的時間，而這個極化時間就導致電介質的極化與外加電場有一個相位差，而因為這個相位差就導致了極化損耗＾＿６８１。隨著ＢＴ含量的增加，在低頻的情況下越高濃度復合材料介電損耗會越高。但隨著頻率的增高，在低頻具有高介電損耗的復合材料，在高頻的情況下其介電損耗會比低濃度復合材料介電損耗低。這主要是因為在低頻情況下，添加ＢＴ顆粒會增加其本身的介電常數因為增加了電導損耗，但隨著頻率的增高，在低頻具有高介電損耗的復合材料薄膜，在高頻的情況下，其介電損耗會比在低頻具有低介電損耗的復合材料薄膜的低，也就是倒置現象。這主要是因為ＢＴ是非極性的納米顆粒，隨著ＢＴ含量的增加導致了極化的降低。純的ＰＶＤＦ介電損耗為０．０５８。在４０ｗｔ％添加量時，５０ｎｍ制備的復合材料介電損耗為０．１７為純的ＰＶＤＦ的３倍。

儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機控制儀器,測量核心采用了頻率數字鎖定、標準頻率測試點自動設定、諧振點自動搜索、Q值量程自動轉換、數值顯示等新技術,改進了調諧回路,使得調諧測試回路的殘余電感減至*,并保留了原Q表中自動穩幅等技術,使得新儀器在使用時更為方便,測量時更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質損耗,高頻回路有效并聯及串聯電阻,傳輸線的特性阻抗等。

覆銅板介電常數損耗測試儀復合材料介電常數隨頻率變化關系圖，范圍為１００Ｈｚ至１ＭＨｚ。純ＰＶＤＦ在１００Ｈｚ時的介電常數為７．８９。１１可知，從１００ＨＺ直到１ＭＨｚ時，復合材料的介電常數都會略有下降，這種趨勢在１００ｋＨｚ以上時更為明顯［６５１。當４０ｗｔ％添加量時，１００ｎｍ制備的復合材料介電常數最大，１００Ｈｚ時，介電常數為２０．３是原始ＰＶＤＦ膜的２．５７倍。引起介電常數提高的原因可以歸因于引入高介電常數填料。