Beam Imaging 電子束觀察系統 真空組件
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Beam Imaging 電子束觀察系統 真空組件
Beam Imaging 電子束觀察系統 真空組件
Beam Imaging Solutions （BIS） 推出了 90 度 BOS，它允許對與成像平面成 90 度的光束進行遠程成像。BOS-40-IW 可以連接到線性運動饋通件上，并放置在光束內或從光束中移出，從而在真空室深處進行遠程成像。成像是通過將標準 BOS MCP/熒光屏堆棧安裝到金屬外殼上來完成的，金屬外殼具有相對于成像平面成 90 度安裝的鏡子。外殼采用楔形設計，以最大限度地減小成像儀的物理尺寸，并具有連接到線性運動饋通的便捷點。電氣連接是通過將柔性電氣絕緣電線連接到電氣饋通件的楔塊上的連接塊來實現的。在標準形式中，BOS-IW 裝置可與 MCP/熒光粉組件一起安裝在帶有電氣連接塊的楔形外殼上。還提供 BOS-IW 套件，包括帶有電氣饋入裝置、視口、線性運動饋入裝置和攝像系統的 BOS-IW 裝置。
技術信息
| 成像區域 | 直徑 40mm |
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| MCP（標準） | 1.975 英寸直徑 （BOS-40-IW），10 微米通道直徑，成像級，40 毫米有效面積，12 微米間距，8° 偏置角，46：1 縱橫比（標準，BOS-40-IW），最大增益：2 x 104（單板，標準）1000V > 107（V 形，OPT-01），2000V |
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| 熒光屏（標準） | P-43 帶鋁涂層。P-43 峰值波長：λ= 545 nm。 |
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| 電源要求 | 0 – + 1000V，1mA 單 MCP（標準），0 – + 2000V，1mA 雙 MCP（選件 01），0 – + 5000V，1 mA 熒光屏 |
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| 光束能量范圍 | 1 eV 至 50 keV 以上 |
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| 束流范圍 | < 10 μA（帶可選的光束衰減格柵） |
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| 真空 | 運行 MCP 需要 1 x 10-6 Torr 或更高溫度，兼容 UHV，最高烘烤溫度 300 C |
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