深圳市三佛科技有限公司 供應 30V P溝道MOS 30V 4.2A HN3401，原裝，庫存現貨熱銷

 HN3401參數：-30V -4.2A  SOT23       P溝道 MOS管
品牌：HN
型號：HN3401
VDS: -30V
IDS: -4.2A
封裝：SOT-23
溝道：N溝道
HN3401為低壓MOS:-30V，P溝道，大電流，小封裝MOS，HN3401實際電壓可以達到-30V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求，
HN3401產品質量穩定，廣泛運用于LED電源，充電器，小家電，電源，混色LED燈等電子產品。
HN3401可以替代：CJ3401，CJ3401A，CJ3407，CJ4459，AP2305AGN，AP2309GN，AP2319GN，AP2309GEN，AP2309AGN，AP3601N，AP3P080N，AP3P090N
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30V P溝道MOS 30V 4.2A HN3401 產品熱銷

N溝道EMOS管外部工作應滿足的條件：

1.VDS > 0（漏極和源極之間的電壓必須大于0，保證漏襯PN結反偏）

2.U接電路低電位或S極（保證源襯PN結反偏）

3.VGS > 0（形成導電溝道）

總結：對于N溝道EMOS管常規操作方法：S極接電源的負極是D極的公共端，所以可以在D極上串聯一個負載，負載的另一端接電源+，而G*電平接通SD端，而低電平斷開SD端。P溝道EMOS管與N溝道EMOS管邏輯相反，不同之處在于G極是低電平導通SD端且D極接GND，高電平斷開

N溝道MOSFET管用法：（柵極G高電平D與S間導通，柵極G低電平D與S間截止，P溝道與之相反）N溝道MOSFET管用法：（柵極G高電平D與S間導通，柵極G低電平D與S間截止，P溝道與之相反）N溝道MOSFET管用法：（柵極G高電平D與S間導通，柵極G低電平D與S間截止，P溝道與之相反）。

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