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20V 3A P溝道MOS 替代AP2301GN

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更新時間:2021-04-22 16:45:05瀏覽次數(shù):322

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深圳市三佛科技有限公司 供應 20V 3A P溝道MOS 替代AP2301GN,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷

詳細介紹

深圳市三佛科技有限公司 供應 20V 3A P溝道MOS 替代AP2301GN,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷

 HN2301參數(shù):  -20V -3A SOT-23       P溝道 MOS管/場效應管 
品牌:HN
型號:HN2301GN
VDS:  -20V
IDS: -3A
封裝:SOT-23
溝道:  P溝道
HN2301GN原裝現(xiàn)貨,HN2301GN優(yōu)勢熱銷

HN2301GN泛運用于電源,充電頭,控制板,計算機,家電,通訊設備等產(chǎn)品上.

售后服務:公司免費提供HN2301GN樣品,并提供HN2301GN產(chǎn)品運用的技術支持。

阿里店鋪:阿里 “供應商 ”搜索 ,深圳市三佛科技有限公司,咨詢客服。
HN2301可以替代:CJ2301,AO2301,AP2301GN,PL2301,NCE2301E,AP2301EN,si2301,NCE2301C,AP2301BGN-HF,NCE2301E。

 

 

 場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用。

 場效應管工作原理:就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說,ID流經(jīng)通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結反偏的變化,產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,表示的過渡層的擴展因為不很大,根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場,源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型,ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,并不是電流被切斷。
在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動,在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場,實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近,由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次,VGS向負的方向變化,讓VGS=VGS(off),此時過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場大部分加到過渡層上,將電子拉向漂移方向的電場,只有靠近源極的很短部分,這更使電流不能流通。

 

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