深圳市三佛科技有限公司  20V 4A PMOS 帶ESD保護 HN3415，原裝，庫存現貨熱銷

 HN3415D采用*的溝道技術，提供優良的RDS（開），低柵極電荷和低至1.8V的柵極電壓操作。該設備適用于負載開關或脈寬調制應用。它是防靜電的
應用：脈寬調制應用，負載開關，USB.
vds=-20V，id=-4a rds（on）<60MΩ@vgs=-2.5V rds（on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD額定值：2500V hbm●高功率和電流處理能力●獲得無鉛產品●表面安裝包

 HN3415參數：-20V -4A SOT-23 P溝道  MOS管/場效應管  帶ESD靜電保護
品牌：HN
型號：HN3415D
主要參數：-20V -4A SOT-23
VDS: -20V
IDS: -4A
封裝：SOT-23
ESD保護：1500V
HN3415D原裝現貨，HN3415D優勢熱銷
HN3415D廣泛運用于電源，充電頭，控制板，計算機，家電，通訊設備等產品上。

售后：免費提供樣品，和產品技術支持。

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HN3415替代：AO3423，NCE3415，CJ3415，NCE3415Y，HM3415E，AP2309GEN，MK3415，HM341，AO3415。

 分析N溝道EMOS管：

N結的形成是因為電子為載流子，沒有形成共價鍵的電子便成為了載流子。

1.當柵極G引腳懸空時，漏極D和源極S相當于一根導線，載流子為游離的電子；（電流較小）

2.當柵極G引腳接低電平，漏極和源極隨便哪一個極接高電平時，G和N或G和S之間的PN結就反偏，反偏那么GD或GS之間就不會導通，還會導致PN結向中間擴展當中間全部被PN結覆蓋時就意味著阻斷了D極和S極之間的通路。

結論：N溝道EMOS管的柵極G接低電平時，PN結反偏，當反偏電壓加載到反偏截至區時DS之間就不會導通（D極或S極接高電平）

3.當柵極G引腳接高電平，漏極D或源極隨便哪一個接低電平時，導通電壓Vgd或Vgs滿足時，漏極D和源極S之間就導通，并且是大電流導通，因為你就是不接G極時，DS之間也會有電流，但是沒有電流放大作用，在G極接高電平時就對電流經行了放大，并且在G極接低電平，S極或D極接高電平時，SD之間截至。

結論：N溝道EMOS管的柵極接高水平時，PN結正偏導通，對電流有放大作用。

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