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使用Agilent ICP-MS/MS測(cè)定高純度過(guò)氧化氫中的超痕量元素

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過(guò)氧化氫 (H2O2) 是半導(dǎo)體設(shè)備制造過(guò)程中采用的重要的制程化學(xué)品之 一。H2O2 作為強(qiáng)氧化劑,可用于清洗硅片、去除光刻膠,并在印刷電路板 上蝕刻金屬銅。當(dāng)化學(xué)品與硅片直接接觸時(shí),必須盡可能地將痕量金屬污 染控制在低濃度,以保持器件的性能和產(chǎn)量。

半導(dǎo)體設(shè)備與材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì) (SEMI) 發(fā)布了有關(guān)半導(dǎo)體制程化學(xué)品(包 括 H2O2)性能指標(biāo)的標(biāo)準(zhǔn) (SEMI C30-1110 – Specifications for Hydrogen Peroxide)。SEMI 5 級(jí)為高的純度級(jí)別,絕大多數(shù)雜質(zhì)元素的含量不超過(guò) 10 ppt。半導(dǎo)體行業(yè)用于監(jiān)測(cè)痕量元素污染物的標(biāo)準(zhǔn)方法是四極桿 ICP-MS (ICP-QMS),但對(duì)于更小的器件架構(gòu)和更高的器件性能的追求致使需要監(jiān) 測(cè)大量更低濃度的污染物元素。因此,當(dāng)前行業(yè)要求分析方法能夠在 ppt 或亞 ppt 級(jí)別的背景等效濃度 (BEC) 下分析各種痕量元素。

SEMI 標(biāo)準(zhǔn) C30-1110 包括高純 H2O2 中允許的硫酸鹽和 磷酸鹽大濃度的性能指標(biāo),其限值為 30 ppb。該限值 相當(dāng)于元素濃度為 10 ppb 的硫和磷,當(dāng)前這兩種污染 物無(wú)法通過(guò) ICP-QMS 進(jìn)行測(cè)量。而近期發(fā)展起來(lái)的串聯(lián)四極桿 ICP-MS (ICP-MS/MS) 能夠獲得更低的硫、磷 檢測(cè)限,使其可以監(jiān)測(cè)所有的 SEMI 元素。

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