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詳細介紹
USM36;USM36 DAC;USM36 S美國GE超聲探傷儀
超聲波探傷儀USM 36
USM36;USM36 DAC;USM36 S京海興樂科技（北京）有限公司提供探傷儀USM36;USM36 DAC;USM36 S儀器維修，USM36;USM36 DAC;USM36 S產品計量，USM36;USM36 DAC;USM36 S技術培訓，產品說明書,產品配件等。；服務范圍： 船舶及船用產品的超聲探傷-UT；磁粉探傷-MT；滲透檢測(PT)、射線探傷-RT、渦流探傷-ET等產品。(奧林巴斯/汕超/美國GE/達高特/中科漢威/友聯/聲納/)配件：相控陣探頭，直探頭，斜探頭，連接線，探頭線，保護膜，試塊，耦合劑，雙晶探頭，表面波探頭，小徑管探頭，小角度探頭，水浸探頭，非金屬探頭，可拆式探頭，可變角度探頭，窄脈沖探頭、測厚探頭、高溫耦合劑及超聲探傷-UT；磁粉探傷-MT；滲透檢測(PT)、射線探傷-RT、渦流探傷-ET等產品。
應用：
USM 36超聲波探傷儀已發展成為業界經典的A類超聲波探傷儀，是GEUSM系列超聲波探傷儀中*的一款產品，廣泛用于電力和石化工業的焊縫檢測、腐蝕測量；汽車工業、金屬工業的鑄件、鍛件檢測和厚度量測；以及航天工業的特殊材料檢。
電力和石化工業的焊縫檢測
直觀的工作界面和7吋超高亮度彩色屏幕，使得在焊縫檢測時更容易判別缺陷：
?閘門和曲線以不同顏色來區分；
?警示和訊息以紅色來顯示；
?A-掃描可以不同顏色顯示，以便做比較；
?用顏色顯示所有相關瑕疵位置的參數，包含聲波路徑、表面距離、深度位置和跨距編號(leg number)；
?GE的斜束檢測跨距彩色編碼顯示功能。
在汽車工業領域之精確厚度測量
USM 36超聲波探傷儀提供精確的厚度測量，即使在聲波路徑不同的情況下，也可由回波序列中得到精確的峰值。
電力和石化工業的腐蝕測量
腐蝕量測可以利用雙晶探頭檢測，USM 36超聲波探傷儀提供屏幕同時顯示厚度值和A-掃描波形，保證厚度量測的可靠性。
最小的捕捉模式:可在連續掃描結束后提供最薄的量測讀值。
自動凍結功能:可以有效減少探頭與工件接觸時間，可用于結構與高溫零件表面量測。
鍛件的檢測
USM 36超聲波探傷儀的幻像波偵測技術是使用于檢測細晶結構材料的和長形工件時，以確保對缺陷的檢測不受幻像波影響。
特殊材料的檢測
強力的方波脈沖發射器為USM 36超聲波探傷儀選配功能之一，即使在嚴峻材料中亦可提供優異的穿透性。例如航天工業和汽車工業中經常使用的材料。
特點：
USM 36超聲波探傷儀具有同等級產品中最大的A-掃描屏幕：7吋大屏幕，搭配800 x480像素的分辨率。整個屏幕范圍皆可以作為A-掃描顯示區域，可以清楚地檢視和準確地分析檢測訊號，有效緩解因長時間作業所導致的眼睛疲勞。背光調節功能可以確保在明亮的陽光下圖形依然清晰可見。
操作更簡單，更有效率：USM 36超聲波探傷儀承襲了前幾代USM系列產品令人熟悉的旋鈕設計，但將功能鍵簡化成6個，操作起來更直觀、簡單，保持高效；檢測設定非常容易，尤其對于熟悉GE產品的技術人員，更可以直接上手，免去閱讀使用說明書的繁瑣。其設定值也可直接由儀器接口傳輸，并且保持與USM同系列產品的接口共通性。
彈性的數據報告和儲存：USM 36超聲波探傷儀的數據報告還可配有A-掃描的截圖和錄像功能，并可以記錄下來以供后期分析或提供檢測的憑證。所有數據皆儲存在可更換的SD卡中，且報告可以jpeg和BMP格式呈現。
方便的數據共享：數據不僅可儲存在SD記憶卡或USB中，用于備份或分享。還配有VGA連接插座，以供連接外部顯示器或投影機顯示，方便檢視或教學等應用。
可在嚴酷的環境中使用：USM 36超聲波探傷儀具有充分的防護能力，防塵和防水等級達IP65設計。可
在環境溫度-10°C至+55°C間使用，可以使用于沙漠、冰原和潮濕熱帶環境。如此全面的超聲波探傷儀重量僅有2.2公斤，并且在充滿電的情況可連續工作超過13小時。
選型：
以下3種機型都可選擇LEMO 01或BNC探頭接口，儀器基本配置包括主機、鋰電池、外置電源、SD卡、說明書、儀器箱。主要功能區別如下：
USM36 一款基本型超聲波探傷儀
USM36 DAC 包含DAC/TCG、AWS、SWP
USM36 S 包含DAC/TCG, AWS, SWP, DGS, PPRF, BEA, 3G
低配的USM36可選配功能：
AWS | AWS校正工具，根據AWS D1.1結構焊道碼 |
DAC JISDAC CNDAC DAC | 校正工具，16點，根據EN1712，EN 1713，EN 1714，ASTME164，ASME，ASME III，JIS Z3060，GB11345 TCG: 120 dB動態，110 dB/μs斜率 |
DGS | DGS校正工具，根據EN 1712, EN1713,EN 1714, ASTM E164 |
數據紀錄器 | 網格文件格式 |
3G | 增加第3個監視閘-監視閘C |
SWP | 方波脈沖產生器 為優化脈沖發射器的參數，電壓設定在120~300V，每一刻度為10V，脈沖寬度設定為30~500 ns，每一刻度為10 ns |
Phantom-PRF | 幻影回波-脈波反復率用于識別在低衰減材料中多反射引起的錯誤回波 |
BEA | 背面回波衰減器 |
超聲波探傷儀USM36參數
通用參數
規范 | 根據EN 12668規范，在標準包裝中之產品光盤上可以找到您儀器的EN12668相關規格 |
電池 | 鋰離子電池，充飽可連續使用13小時/充電方法(標準)：內部充電，搭配充電器/充電方法(選配)：外部充電器/充電顯示：比例電位指示器 |
電源 | 外置電源 |
設備尺寸 | (W×H×D) 255×177×100mm |
設備重量 | 2.2公斤(含電池) |
語言 | 保加利亞語,中文,捷克語,荷蘭語,英文,法文,德語,匈牙利語,意大利文,日文,挪威語,波蘭語,葡萄牙語,羅馬尼亞語,俄文,西班牙語,瑞典語 |
適合濕度和溫度 | EN60068 Part 2-30(儲存) 6個周期: 9小時+25°C，3小時內升至+55°C;9小時+55°C，3小時內降至+25°C，93%濕度 |
震動 | EN60068 Part 2-6 2g per axis, 5-150 Hz, 1oct/min, 25 cycles |
沖擊 | EN60068 Part 2-27 1000 cycles per axis, 15g, 11 ms, half-sine |
Enclosure | IP66依據IEC 60529規范 |
操作溫度 | –10~55°C |
低溫作業 | –10°C，16小時，502.5程序II |
高溫作業 | +55°C，16小時，501.5程序II |
儲存溫度 | –20—+60°C，不含電池 |
低溫儲存 | –20°C，72小時，502.5程序I |
高溫儲存 | +70°C，48小時，501.5程序I |
屏幕參數
使用范圍 | 152mm×91mm |
分辨率 | 800×480像素 |
范圍 | 4-14,108mm，就縱波而言 |
延遲 | –15~3,500μs |
探頭延遲 | 0~1,000μs |
音速 | 250~16,000m/s |
脈波反復率 | 自動優化15~2,000Hz,三種自動設定模式：自動低、自動中等、自動高、和手動模式 |
連接器參數
探頭接口 | 2×LEMO-1或2×BNC |
USB接口 | USBtype B連接插座 |
維修界面 | LEMO-1B,8 pin |
脈沖發生器
脈沖模式 | Spikepulser，選購:方波脈沖 |
脈沖電壓 | 120~300V，每刻度為10 V，誤差10%(SQ模式) |
脈沖下降上升時間 | 最大10 ns |
脈沖寬度 | 30~500ns，每刻度為10 ns(SQ模式) |
脈沖強度 | 低: 120 V，高:300 V(Spike mode) |
脈沖能量 | 最低: 30 nS，最高:100 nS(Spike mode) |
阻尼 | 50Ω，1,000Ω |
接收器參數
數字增益 | 動態范圍110 dB,可調,每0.2dB調整刻度 |
模擬帶寬 | 0.5~20MHz |
等效輸入噪聲 | <80nV/√Hz |
濾波器 | 帶寬: 1-5 MHz / 2, 2.25 MHz / 4, 5 MHz/ |
整流 | 正半波，負半波，全波，射頻訊號(RF) |
監視閘參數
獨立監視閘 | 監視閘A和B (由監視閘A觸發)監視閘C (選配，由監視閘A或B觸發) |
測量模式 | Peak,Flank, J-FLANK, FIRST PEAK |
內存參數
選型
類型15/類型16 | 類型15 | 類型16 |
類型17/類型18 | 類型17 | 類型18 |
A: 30mm | A: 20mm | A: 14mm | A: 14mm | ||
B: 65mm | B: 45mm | B: 17mm | B: 17mm | ||
C: 28.5mm | C: 16.5mm | C: 13mm | C: 7.5mm | ||
D: 10mm | D: 5mm | D: 6.4mm | D: 6.4mm |
系列 | 型號 | 頻率 (MHz) | 焦距 (mm) | 單晶片尺寸 (mm) | 外觀尺寸 | 帶寬 | 接口類型 | 接口方向 |
SEB | SEB 1 | 1 | 20 | Φ21半圓 | 類型15 | 40 | 雙聯 Lemo 00 | 側裝 |
SEB 1-EN | 1 | 20 | ||||||
SEB 2 | 2 | 15 | 7x18 | |||||
SEB 2-EN | 2 | 15 | ||||||
SEB 2-0° | 2 | 30 | ||||||
SEB 2-EN-0° | 2 | 30 | ||||||
SEB 4 | 4 | 12 | 6x20 | |||||
SEB 4-EN | 4 | 12 | ||||||
SEB 4-0° | 4 | 25 | ||||||
SEB 4-EN-0° | 4 | 25 | ||||||
MSEB | MSEB 2 | 2 | 8 | Φ11半圓 | 類型16 | 40 | ||
MSEB 2-EN | 2 | 8 | ||||||
MSEB 4 | 4 | 10 | 3.5x10 | |||||
MSEB 4-EN | 4 | 10 | ||||||
MSEB 4-EN-0° | 4 | 18 | ||||||
MSEB 4-0° | 4 | 18 | ||||||
MSEB 5 | 5 | 10 | Φ9半圓 | |||||
SEB KF | SEB 2 KF 5 | 2 | 6 | Φ8半圓 | 類型17 | 30-60 | Microdot X2 | |
SEB 4 KF 8 | 4 | 6 | ||||||
SEB 4 KF 8-EN | 4 | 6 | ||||||
SEB 5 KF 3 | 5 | 3 | ||||||
SEB 10 KF 3 | 10 | 3 | Φ5半圓 | 類型18 | ||||
SEB 10 KF 3-EN | 10 | 3 |
MSEB2
MSEB4
SEB2 EN
SEB2
SEB4
卡槽 | SD卡槽，適用所有標準SD記憶卡 |
容量 | 8GB，SD記憶卡 |
數據組 | ASCII編碼的UGO數據結構 |
檢測報告 | JPG或BMP格式 |
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