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質(zhì)譜ICP—MS的質(zhì)譜干擾和非質(zhì)譜干擾
質(zhì)譜ICP—MS分析常用的天然同位素由6Li到238u約260個(gè)，即其相應(yīng)質(zhì)譜線約260條，與ICP—AES數(shù)以萬(wàn)計(jì)譜線的復(fù)雜光譜相比顯然簡(jiǎn)單多了，但是，大量的研究表明，如要得到準(zhǔn)確的定量分析結(jié)果，必須把影響準(zhǔn)確測(cè)量離子流的干擾排除或者減低到低程度。尤其在不同濃度的多元素測(cè)定時(shí)，由于濃度會(huì)從很高到極低的痕量水平不等，致使?jié)撛诘母蓴_效應(yīng)顯著化，成為影響分析準(zhǔn)確性不可忽視的問(wèn)題。
質(zhì)譜ICP—MS分析中遇到的干擾基本上分為兩大類：質(zhì)譜干擾和非質(zhì)譜干擾。克服干擾的方法很多，一般可分為數(shù)學(xué)方法、物理方法和化學(xué)方法。
1．質(zhì)譜干擾
一般而言，質(zhì)譜干擾對(duì)分析物離子流測(cè)量的結(jié)果產(chǎn)生的是正誤差。質(zhì)譜干擾主要有四種類型：
(1)同量異位素的重疊，當(dāng)基體為十分復(fù)雜的樣品時(shí)，這種干擾就更加常見(jiàn)，尤其樣品中存在多種高濃度的元素時(shí)，在可選的被分析同位素m/z值處發(fā)生同量異位素重疊的概率就會(huì)增加，如果分析物選不出不受干擾的同位素，或者可選用的同位素豐度太低得不到適當(dāng)?shù)撵`敏度，可在分析前對(duì)樣品進(jìn)行化學(xué)分離或采用高分辨ICP—MS儀進(jìn)行測(cè)量。
(2)多原子分子離子的重疊，其造成干擾常常是一個(gè)比同量異位素重疊干擾更大問(wèn)題，一般來(lái)說(shuō)，主要是由元素Ar、C、Cl、H、N、O和S的大豐度同位素造成的，解決分子離子干擾的好辦法是避免使用含有那些質(zhì)量數(shù)比較高又有許多同位素的酸和試劑。
(3)多電荷離子(常為雙電荷離子)的重疊，具有低電離電位的一些元素容易形成雙電荷離子，主要是堿土金屬、一些稀土元素和有限數(shù)量的過(guò)渡金屬元素，必須對(duì)此干擾進(jìn)行校正或采用高分辨質(zhì)譜儀測(cè)量。
(4)背景對(duì)被測(cè)離子流的貢獻(xiàn)，ICP—MS儀器在很高的分析靈敏度下，背景計(jì)數(shù)不會(huì)有大的增加，所以背景校正有時(shí)不是必須的，但背景不應(yīng)該與空白譜混淆。
2．非質(zhì)譜干擾
各種各樣化學(xué)和物理效應(yīng)的*嚴(yán)重地影響ICP—MS分析的準(zhǔn)確性，非質(zhì)譜干擾,一般分為兩類：基體效應(yīng)和物理效應(yīng)。這些*明顯地抑制或增強(qiáng)被定量測(cè)量的離子流，也會(huì)對(duì)信號(hào)的穩(wěn)定性和分析精度產(chǎn)生有害的影響。
高濃度的基體成分(元素)能使被分析的離子流造成抑制，這類干擾本質(zhì)上未必是*的，通常干擾也不局限在單一元素上。不管怎樣，一般講質(zhì)量大的基體元素對(duì)質(zhì)量小的被分析元素產(chǎn)生的抑制效應(yīng)會(huì)更為嚴(yán)重。
基體效應(yīng)的程度取決于基體元素的量而不是基體元素與被分析元素的相對(duì)比例。因此，通過(guò)減少基體成分的濃度，能把抑制效應(yīng)減少到無(wú)關(guān)緊要的水平。
隨著樣品溶液總鹽度增加，被分析物離子流信號(hào)會(huì)發(fā)生漂移，高鹽樣品溶液的這一效應(yīng)是一種物理干擾。一般有幾個(gè)解決該問(wèn)題的方法，通過(guò)簡(jiǎn)單的樣品稀釋使基體的濃度降低，可減少鹽類在取樣錐孔的堆積。
物理干擾還有其他的類型，如屬于樣品輸送效應(yīng)的霧化器,樣品引入過(guò)程產(chǎn)生的干擾。記憶效應(yīng)也是物理干擾中一個(gè)嚴(yán)重的問(wèn)題，記憶效應(yīng)是樣品中高濃度分析物污染儀器系統(tǒng)造成的。通常樣品進(jìn)樣之前，采用霧化去離子水清洗霧室和樣品引入系統(tǒng)裝置。典型的沖洗時(shí)間可按分析物信號(hào)降到近l％的時(shí)間為準(zhǔn)，正常情況下其范圍為60～180s。如在整個(gè)沖洗期間采取增加沖洗液流速、使用化學(xué)沖洗液沖洗或改進(jìn)裝置等技術(shù)，有時(shí)能使沖洗顯著減少。
