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Senis 3軸霍爾磁傳感器芯片 SENM3Dx
昊量光電全新推出的Senis 3軸霍爾磁傳感器芯片 SENM3Dx是一種 cmos 磁場傳感器，可在同一時間和同一地點采集所有三個磁場分量（Bx、By 和 Bz）。該傳感器集成了三組相互正交的霍爾效應元件（一組水平元件和兩組垂直元件），每組元件都配有偏置電路和放大器。集成霍爾元件非常緊湊，占地面積小，約為 100 x 100 μm2。因此，傳感器的空間分辨率非常高。
所采用的 CMOS 技術實現了垂直和水平霍爾元件的高精度制造，從而使三個測量軸具有較高的角度精度（正交性）。在霍爾元件偏壓中應用旋轉電流技術，可顯著抑制偏移、低頻噪聲和平面霍爾效應。 傳感器提供從直流到 300kHz 的高模擬帶寬。內置的溫度傳感器可以測量場敏感區域的當前芯片溫度。
Senis 3 軸霍爾磁傳感器芯片 SENM3Dx參數規格：
可選擇主動靈敏度軸 1D、2D 或 3D
高磁分辨率：1uT
高空間分辨率：100um x 100um for 3軸
六種可選范圍：從 40mT 到 4T
高頻帶寬，DC 至 300kHz
內置高分辨率溫度傳感器
靈敏度、失調、噪聲和漂移的片內校正
片上參數化
模擬、PWM 和 SPI 數字輸出
可編程閾值比較器
Senis 3 軸霍爾磁傳感器芯片 SENM3Dx應用領域：
3D定位傳感器（線性和角度）
1D、2D 和 3D 接近傳感器
磁力計測量探頭
多探頭陣列
具有可選量程的電流傳感器
選件
SENIS 3軸霍爾磁傳感器芯片評估套
SENIS 3軸霍爾磁傳感器芯片評估套設計用于評估真正的三軸磁場傳感器，該傳感器是 CMOS 集成器件，可在 100 x 100 x 10 µm3 的場敏感體積 (FSV) 中矢量測量三個磁通分量 Bx、By 和 Bz（圖 1）。FSV 低于芯片封裝表面約 0.75 mm。
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