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深圳市秋山貿易有限公司
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日本thermocera臺式石墨烯/ CNT合成器
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型號
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品牌
其他品牌
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廠商性質
代理商
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所在地
深圳市
更新時間：2024-09-19 15:14:19瀏覽次數：810
聯系我們時請說明是化工儀器網上看到的信息，謝謝!
【簡單介紹】
| 產地類別 |
進口 |
應用領域 |
化工,能源,電子,制藥,電氣 |
日本thermocera臺式石墨烯/ CNT合成器
?型號NanoCVD-8G（用于石墨烯合成）
?型號NanoCVD-8N（用于碳納米管）
無需使用大型制造設備，每批只需30分鐘即可輕松實現石墨烯/ CNT合成。
CVD方法（化學氣相沉積）
CVD法是已經為多種目的而建立的穩定技術，并且當考慮將來石墨烯和CNT的大規模合成時是現實的方法。
日本thermocera臺式石墨烯/ CNT合成器
特性- 無需使用大型制造設備即可輕松進行石墨烯/ CNT（SWNT）成膜實驗。
- 每批僅30分鐘！
- 冷壁型高效，高精度的過程控制
- 快速升溫：RT→1100℃/約3分鐘
- 具有高精度溫度流量控制和出色重現性的高性能機器
- 操作簡便！5英寸觸摸屏可進行操作和配方管理
- 多可以創建和保存30個配方，30個合成程序步驟
- 軟件為標準設備，輸出為CSV文件在PC上記錄數據
- USB電纜連接，在PC端創建配方→可以上傳到設備
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| | 外型尺寸
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| | 主要規格| A.主要規格 | | | 1.反應室 | 不銹鋼SUS304泄漏檢查 | | 2.加熱階段 | 陶瓷制成 | | 3.相應的樣本量 | 20 x 40毫米 | | 4.加熱加熱器 | 高純石墨加熱器Max1050℃ | | 5.溫度控制 | K型熱電偶標準附件（安裝在加熱臺下） | | | | | B.過程控制設備規格 | | | 1.氣體控制 | 質量流量控制器x 3（Ar，H2，CH4） | | 2.壓力控制 | 20托FS | | 3.真空排氣 | 包括愛德華茲旋轉泵RV3（3立方米/小時） | | 4.操作面板 | 正面安裝5英寸觸摸屏（歐姆龍制造） | | 5.風冷 | 用冷卻風扇冷卻外殼內部 | | 6.控制系統 | PLC自動過程控制 | | | | | C.軟件（標準附件） | | | 1. nanoCVD軟件 | 標配（已安裝石墨烯的標準程序） | | 2.界面 | USB 2.0連接 | | 3.設置數 | 多30個配方，30個程序創建和保存步驟 | | | | | D.氣體導入連接規格 | | | 1.工藝氣體 | 1/4英寸世偉洛克卡套管接口，用于Ar，H2，CH4 x 3 | | 2.載氣 | Φ6mm推鎖式管接頭，用于N2或Ar x 1 | | | | | E.安全裝置 | | | 1.過熱 | 由加熱臺安裝熱電偶控制 | | 2.機殼內部過熱 | 從內部溫度開關 | | 3.氣壓異常 | 來自質量流量控制器 | | 4.真空度降低 | 來自真空傳感器 | | | | | F.實用程序 | | | 電源 | AC200V單相50 / 60Hz 13A | | 1.工藝氣壓 | 30psi 200sccm以下 | | 2.載氣壓力 | 60-80磅/平方英寸 | | | | | G.尺寸/重量 | | | 1.尺寸 | 405mm（寬）x 415mm（深）x 280mm（高） | | 2.重量 | 約27公斤 |
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nanoCVD-8G（石墨烯）
納米CVD-8N（CNT）
帶旋轉泵的nanoCVD-8G
通過CVD化學氣相沉積法在短時間內在金屬基底催化劑（Cu，Ni箔等）上合成單層石墨烯膜。nanoCVD-8G的基本操作方案是在石墨平臺上以醉高1100°C的高溫烘烤，并在減壓下供應原料氣體（甲烷），氮氣和氫氣。
◇◆標準設備配置◆◇
- ●用于石墨烯生成，真空過程控制
- ●標配旋轉泵（選件：TMP，擴散泵或干泵）
- ● 3個供氣系統（標準）
- ●樣品臺大1100℃
- ● K型熱電偶
*以下選項也可滿足其他要求的實驗目的（單獨討論）。
- ●增加氣體導入口（改變和增加氣體種類）
- ●增加干泵系統
- ●增加額外的腔室/加熱臺并改變臺結構
使用nanoCVD-8G樣品加熱臺] [nanoCVD-8G后面板]生產的石墨烯的拉曼光譜
日本thermocera臺式石墨烯/ CNT合成器
