當前位置:英國普拉勒科技有限公司-普拉勒(南京)儀器科技有限公司>>氫氣發(fā)生器>>氣相色譜/半導體/CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器>> 金剛石MPCVD氫氣發(fā)生器
半導體/CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器不僅能夠提供高純度、穩(wěn)定壓力的氫氣,還具有多項結(jié)構(gòu)優(yōu)勢和應用功能,是半導體制造過程中重要的設(shè)備。
半導體/CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器通常采用先進技術(shù),如固態(tài)聚合物電解質(zhì)(SPE)技術(shù),以確保產(chǎn)生高純度的氫氣,同時具備穩(wěn)定的壓力輸出,這對于半導體生產(chǎn)中的清洗、退火、賦活處理以及硅晶片的取向和外延生長調(diào)控等關(guān)鍵過程至關(guān)重要。
半導體/CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器產(chǎn)品特點
1.創(chuàng)新技術(shù)應用:采用英國Peculiar的離子膜技術(shù)和分子篩耐用干燥劑,確保產(chǎn)生的氫氣純度高達99.9999%,為半導體制造提供高品質(zhì)的氣體環(huán)境。
2.高效純化系統(tǒng):通過先進的氫/水分離技術(shù)和除濕處理,有效分離并去除氫氣中的水分,保證輸出氫氣的純凈度。
3.自動水位控制與補水功能:設(shè)備具備自動水位監(jiān)控和補水系統(tǒng),當水量低于設(shè)定值時自動停機并補充水源,確保設(shè)備運行安全,延長使用壽命。
4.微電腦控制:集成微電腦控制系統(tǒng),實時監(jiān)測和調(diào)整壓力與流量,保持氫氣輸出的穩(wěn)定性和可靠性。
5.環(huán)保與安全設(shè)計:采用無堿液電解技術(shù),直接電解純水,減少環(huán)境污染;同時,所有材料選擇均符合高標準環(huán)保要求,確保操作過程的安全。
半導體/CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器應用領(lǐng)域
1.清洗與退火:氫氣作為清洗氣體,有效去除表面污染物和氧化物,提供清潔的表面,并用于退火過程促進晶體再結(jié)晶。
2.賦活處理:通過將水合氧化物轉(zhuǎn)化為電氧化物,提高雜質(zhì)離子濃度,改善半導體器件性能和穩(wěn)定性。
3.硅取向和外延生長調(diào)控:通過精確控制氫氣的流量和溫度,實現(xiàn)硅晶片特定方向的優(yōu)先生長,獲得所需的硅材料取向。
4.清除氧污染:在特殊工藝中利用氫氣清除氧氣污染,避免生成影響器件性能的氧化物。
半導體/CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器安全操作要求
1.正確接線與確認參數(shù):在啟動半導體專用氫氣發(fā)生器前,應確保設(shè)備接線正確,電源輸入電壓、電流及氫氣純度、流量等參數(shù)符合要求。
2.禁止私自調(diào)整:嚴禁在設(shè)備運行中隨意調(diào)整安全保護參數(shù),如電流和氫氣流量,并且不應在未經(jīng)授權(quán)的情況下進行機內(nèi)部件的更換或調(diào)整。
3.良好通風與禁止危險操作:確保設(shè)備使用區(qū)域通風良好,不得將設(shè)備置于爆炸危險環(huán)境中,如靠近火源或易燃物旁。
半導體/CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器安全保護措施
1.防止氣體泄漏:確保氫氣發(fā)生器輸出口氣管連接正確,防止氫氣泄漏。
2.避免異常工作:在使用過程中,如發(fā)生器出現(xiàn)異常工作情況,須立即停機檢查,并由專業(yè)人員進行問題排查和解決。
半導體/CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器使用注意事項
1.檢查輸出口氣管:在供氫前,必須檢查氫氣發(fā)生器輸出口的氣管是否已正確連接。
2.斷開電源前操作:在關(guān)閉并斷開電源前,應先拔掉輸出口氣管,避免殘留氫氣造成的安全隱患。
半導體/CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器保養(yǎng)和檢修
1.定期維護清潔:為延長設(shè)備使用壽命并保持其高效運行,必須定期對氫氣發(fā)生器進行維護保養(yǎng),包括清洗和更換吸附劑等關(guān)鍵部件。
2.記錄維護信息:每次維護檢查后,應詳細記錄設(shè)備狀態(tài)、檢查人員信息及維護日期,以備后續(xù)查看和故障排查。
半導體/CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器常見問題解決方案
1.避免氫氣泄漏的措施:定期檢查設(shè)備氣路的密封性,發(fā)現(xiàn)問題及時修復,并使用符合標準要求的設(shè)備來運輸和存儲氫氣。
2.保持氫氣純度的方法:嚴格遵守使用規(guī)范,定期更換吸附劑,并使用相同類型和規(guī)格的吸附劑,以確保氫氣的純度。