鈦酸鎂MgTiO3/鈦酸鉍基鈣鈦礦相熱敏陶瓷
鈦酸鎂MgTiO3/鈦酸鉍基鈣鈦礦相熱敏陶瓷
產品：
鈣鈦礦復合氧化物納米晶體膠
含鑭鲺鈦礦型復合氧化物
錳酸鑭鈣鈦礦型復合氧化物
含鑭/氧化鈰-鈦鐵礦復合物
鈣鈦礦-鍶鈦礦-鈉鑭鈦礦復合物
鈣鈦礦型鈮/鈦酸鹽復合光催化劑
鈣鈦礦型復合氧化物鎳酸鑭光催化
鎳酸鑭鈣鈦礦氧化物薄膜
鈦酸鉍鈉基鈣鈦礦型無鉛壓電陶瓷性能與機理研究
【摘要】：壓電陶瓷作為一類重要的電子功能材料,應用于醫學、聲學、機械、電子、自動化等領域。當前對電子產品的環境友好性要求日益迫切,壓電陶瓷的無鉛化是未來的研究方向。鈦酸鉍鈉基鈣鈦礦型壓電陶瓷被認為是較具應用前景的無鉛壓電材料之一,具備其它無鉛壓電陶瓷體系無法媲美的優點,例如高場致應變、高振速下好的性能穩定性、的可重復性、易于大規模制備等。但是,鈦酸秘鈉基無鉛壓電陶瓷體系較低的退極化溫度了其應用范圍。以鈦酸鉍鈉基鈣鈦礦型無鉛壓電陶瓷為研究對象,探索其退極化溫度、場致應變以及優化大功率應用性質的方法。系統研究了缺陷、離子替代以及晶粒尺寸對鈦酸鉍鈉基無鉛壓電陶瓷的相結構、介電、鐵電、壓電性能及其溫度穩定性等的影響。研究了不同熱處理工藝對 0.94(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.06BaTiO3(BNT-6BT)無鉛壓電陶瓷退極化溫度的影響。通過對變溫介電和變溫場致應變的研究,發現淬火工藝使BNT-6BT陶瓷的退極化溫度從96℃至136℃。通過X射線光電子能譜(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)、電子順磁共振譜(Electron paramagnetic resonance,EPR)等測試表明,陶瓷中的氧空位缺陷是退極化溫度的內在機制;淬火工藝在陶瓷中引入氧空位缺陷,其對鐵電疇壁具有釘扎作用,使陶瓷可以在更寬的溫度范圍內保持鐵電性,進而了退極化溫度。基于上述退極化溫度的氧空位缺陷機制,研究了 0.8(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.2(Bi0.5K0.5)TiO3(BNT-BKT)體系中具有氧缺陷的組元BaInO2.5(BaIn)的引入對陶瓷退極化溫度、鐵電及壓電等性能的影響。變溫介電譜表明,含氧缺陷組元的引入,了退極化溫度,較高可90℃;同時也了壓電常數。變溫復阻抗的研究說明了活化能與氧缺陷組分含量的關系。利用組分替代的方法,在鐵電體BNT-BT中引入組元(Bi0.5Na0.5)(Mn1/3Nb2/3)O3(BNMN),成功制備了 BNT-BT-BNMN三元弛豫鐵電體,隨著BNMN引入含量的,其鐵電性和壓電性變化。通過X射線衍射(X-ray diffraction,XRD)測試確定了 BNT-BT-xBNMN三元體系的準同型相界(Morphotropic Phase Boundary,MPB)為 x=0.005-0.02 之間,在 x=0.02 組分具有較高壓電常數150pC/N。在x=0.0275組分獲得了 0.28%的場致應變,與未替代組分相比了約一倍。采用非化學計量比的方法,研究了在 0.88(Bi05Na0.5)TiO3-0.08(Bi0.5K0.5)TiO3-0.04(Bi0.5Li0.5)TiO3(BNT-BKT-BLT)三元陶瓷中引入過量的低熔點易揮發元素K、Na對陶瓷的微觀結構、大功率性質以及溫度穩定性等的影響。發現過量的K、Na了晶粒尺寸的長大,與未過量體系相比,晶粒尺寸增長了約10倍。阻抗譜和變溫介電譜的測試表明,晶粒尺寸較大的體系具有更高的機械因數和溫度穩定性。隨后,在K、Na過量體系中加入Mn02,引入了缺陷偶極子,進一步了陶瓷的機械因數及溫度穩定性。
產品供應：
| Cs2SrPbI6雙鈣鈦礦納米材料 |
| Cs2KBiCl6雙鈣鈦礦三維材料 |
| Cs2NaInCl6鈣鈦礦納米晶 |
| 鈦礦半導體納米晶體CsPbBr3 |
| 二維鈣鈦礦異質結(C4H9NH3)2PbI4 |
| (C4H9NH3)2(CH3NH3)Pb2I7鈣鈦礦異質結構 |
| (C4H9NH3)2(CH3NH3)Pb2I7鈣鈦礦晶體 |
| TMOF-5 |
| PbCoO3鈣鈦礦納米晶 |
| 全無機鹵素鈣鈦礦CsPbBr3晶體 |
| 鈣鈦礦/銅銦鎵硒（GIGS） |
| CH3NH3PbI2Br/銅銦鎵硒鈣鈦礦材料 |
| PMMA/CsPbBr3量子點 |
| Zn2SnO4基鈣鈦礦太陽能電池材料 |
| MAPbfI3金屬鹵化鈣鈦礦三維材料 |
| 有機氯化鉛雜化材料(C9NH20)7(PbCl4)Pb3Cl11 |
| 全無機銫鉛鹵鈣鈦礦量子點CsPbX3 |
| (BA)4AgBiBr8有機無機雜化鹵素雙鈣鈦礦 |
| Pb-Sn-Cu鈣鈦礦薄膜 |
| (C4H9NH3)2(CH3NH3)3Pb4I13鈣鈦礦光電探測器 |
| 二維銣-銫合金鈣鈦礦材料RbxCs1-xPbBr3 |
| 摻鎂的鈣鈦礦薄膜CsPbBr3 |
| 疊層CsPbBr3/MABr鈣鈦礦薄膜 |
| CsPbBr3@MABr核殼鈣鈦礦 |
| 核殼型PbSe@CsPbBr3鈣鈦礦納米材料 |
| 碘化肼錫（HASnI3）鈣鈦礦薄膜 |
| MASnI3鈣鈦礦薄膜 |
| 二苯并環辛醇-聚(乙二醇)-脫鎂葉綠酸A偶聯物 |
| 低維Cs2PbI2Cl2鈣鈦礦納米晶 |
| C4N2H14SnBr4錫基鈣鈦礦晶格 |
| 紅色/藍色鈣鈦礦二維納米晶 |
| 氮摻雜碳包覆的子彈狀Cu9S5空心顆粒（Cu9S5@NC） |
| 鈣鈦礦納米線陣列 |
| 六方密堆積相納米級Au六角星 |
| Ti3SiC2納米晶 |
| Ti2AlN陶瓷材料 |
| CuInxGa1-xSe2薄膜材料 |
| 介孔碳納米球 |
| 多晶硅以及多晶CdTe |
| 多孔碳納米片 |
| 多鐵性層狀鈣鈦礦Bi5CoTi3O15 |
| 聚多巴胺包覆金納米星(GNS@PDA) |
| 雙功能改性鈣鈦礦薄膜定制 |
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