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CuInS2/ZnS量子點,硫化亞銅納米晶體光譜

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更新時間:2020-06-03 09:41:41瀏覽次數:386次

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CuInS2/ZnS量子點,硫化亞銅納米晶體光譜CuInS2(CIS)量子點由于其、太陽光吸收系數高、光化學性能穩定在生物、光電領域有很大的應用潛力,然而目前量子產率較低、質量不可控和批量制備工藝的缺乏了它的應用。

CuInS2/ZnS量子點,硫化亞銅納米晶體光譜

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CuInS2/ZnS量子點,硫化亞銅納米晶體光譜

產品描述:

CuInS2(CIS)量子點由于其、太陽光吸收系數高、光化學性能穩定在生物、光電領域有很大的應用潛力,然而目前量子產率較低、質量不可控和批量制備工藝的缺乏了它的應用。基于CIS量子點的發光機理和生長動力學研究了CIS和核殼CIS/ZnS量子點熒光效率的合成工藝,并通過調節工藝參數實現了對熒光量子產率的大幅和CIS量子點熒光光譜的調控。在此基礎上將燒瓶合成工藝轉移到微反應器系統中實現了CIS和CIS/ZnS量子點的連續合成。后,以CIS量子點規模化生產為例,基于微反應器設備的連續化生產工藝進行工程概念設計、投資成本估算和經濟效益分析。總體實現了從實驗室到生產的全生命周期的研究。主要獲得以下結果:  (1)CIS量子點熒光效率的高溫液相熱處理過程  研究了基于高溫液相熱處理的方法以CIS量子點的熒光量子產率。分析了CIS的發光機理、液相熱處理過程對晶體結晶度和熒光量子產率的影響。結果表明:CIS量子點發光為多能級發光,給體-受體缺陷發光為主要發光方式。CIS顆粒內部和表面的多種缺陷引起的非輻射弛豫是導致顆粒量子產率較低的主要原因。在高溫液相環境中和配體存在下晶體表面進行重新溶解與生長,能減少晶體內部雜質和晶體內部、表面缺陷,減少非輻射弛豫的概率,CIS量子點的熒光量子產率從5.7%10.8%。

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