Nb∶SrTiO3單晶基片上外延生長BaTiO3薄膜

西安齊岳生物科技有限公司提供或者國產的薄膜、單晶、多晶體薄膜，尺寸可定制；基底的薄膜；高；有關資料歡迎咨詢。同時提供二維材料；石墨烯、氮化硼、二硫化鉬、CVD生長的薄膜、晶體、異質結、薄膜（藍寶石、PET、銅膜、石英、云母、銀膜、SOI基底、Si玻璃基底等基底）等材料。

 采用脈沖激光沉積法(PLD),在摻鈮的鈦酸鍶單晶基片(Nb:SrTiO3,NSTO)上外延生長了15 nm厚度的BTO薄膜.并采用X射線衍射(XRD),原子力顯微鏡(AFM),高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)等,分別測試了BTO薄膜的晶相結構和微觀形貌與結構,了薄膜的外延生長特征.以磁控濺射法制備金屬鉑(Pt)上電極,在室溫下測試了BTO薄膜的電流-電壓(I-V)曲線.通過擬合I-V曲線,結果表明:在正向電壓下,薄膜的漏電流符合空間電荷受限電流機制(SCLC);在反向電壓下,漏電流先為普爾-弗倫克爾發射機制(Poole-Frenkel emission),隨著反向電壓的升高,轉變為福勒-諾德海姆隧穿機制(Fowler-Nordheim tunneling).分析指出,在Pt/BTO界面存在一個可變的肖特基勢壘,該勢壘受到BTO薄膜內部遷移的氧空位影響,從而決定了上述漏電流機制.

產品列表：

硅片上的金剛石氮化鋁薄膜
Si上鍍Al薄膜（Aluminum Film on Silicon Wafer）
Si-Al復合薄膜
Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")：
Si襯底上AlN外延薄膜
Si+SiO2+Cr+Au薄膜：
(Au,Si)/SiO2復合納米顆粒薄膜
Si/SiO2/Cr/Au復合薄膜
AL2O3+Al(0.1)Ga(0.9)N 薄膜
Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜N型不摻雜
Nb：SrTiO3+Ba1-xSrxTiO3薄膜
Ba1-xTiO3型薄膜  400nm
摻鈮SrTiO3基片 400nm單面拋光薄膜
Nb: SrTiO3+BiFeO3薄膜
Nb: SrTiO3+BiFeO3薄膜 10x10 x 0.5 mm
SrTiO3襯底上BiFeO3薄膜
Nb∶SrTiO3單晶基片上外延生長BaTiO3薄膜
Fe3O4/BiFeO3復合薄膜
Si+SiO2+Ta+Cu薄膜
Si/SiO2/Ta/Cu薄膜
Cu/Ta/SiO2/Si薄膜
Si襯底上Ta-N/Cu薄膜
Si+SiO2+Ti+Au薄膜
Si/SiO2/Cr/Au/Ti 襯底薄膜
鍍金硅片鍍鉑硅片ptPt/Ti/SiO2/Si
Si+GaN薄膜：
別稱：Si 晶圓外延 Gan 薄膜 (si + Gan 薄膜)
Si襯底上GaN薄膜
Si基GaN薄膜
Si+Cu薄膜:
多孔Si/Cu復合薄膜
Si上鍍Cu薄膜
Si基上電沉積Cu薄膜
YSZ+CeO2薄膜 30-50nm
CeO2/YSZ復合薄膜 30-50nm
CeO2/YSZ薄膜
Si+BN薄膜
Si/BN硅基氮化硼薄膜
單層氮化硼薄膜Si基底 CAS號7440-42-8
Si摻雜的c-BN薄膜
Si上的Cu外延膜
SiBN復合薄膜
FTO膜
Glass+FTO薄膜
玻璃板上涂氟氧化錫（FTO）
鍺(GOI)薄膜
體上鍺(GOI)薄膜
薄Si過渡層制備體上Ge(GOI)材料
GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜
GaAs （半）（100）晶向基片上的GaAs GaAs / AlGaAs薄膜
GaAs/AlGaAs/GaAs薄膜
GaAs/AIGaAs壓阻薄膜
GaN系列薄膜
氮化鎵GaN/藍寶石復合襯底上蒸鍍金屬鎳(Ni)薄膜
GaN 薄膜基片
GaN外延薄膜
Ga2O3-ß膜
AL2O3+Ga2O3-ß薄膜

訂購須知：

1.訂購前，請與銷售員說明產品的中文名稱/CAS號/英文名稱等。
2.我司大部分產品都是，產品核實好下單后即可發貨。（庫存信息以為準）
3.我司對科研機構及院校支持。
4.質量，，如有產品異議經公司鑒定確認后可包換包退，
5.我司提供售后服務，使用過程中如有疑問，可提供指導。
6.運輸過程采用惰性氣體加濕冰保護，產品的送到您的手上。

溫馨提示：西安齊岳生物供應的薄膜、單晶、多晶體薄膜、化學試劑、納米材料產品用于科研，不能用于人體（zhn2020.05.20）