鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片(單面或雙面拋光)
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鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片(單面或雙面拋光)
鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片是近十年中發(fā)展起來的基片,主要用作高溫導(dǎo)體(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生長用基片。由于NdGaO3與YBCO的晶格失配很小(~0.27%),且無結(jié)構(gòu)相變,在NdGaO3基片上可外延生長質(zhì)量的薄膜。
鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片主要性能參數(shù)
晶體結(jié)構(gòu) | 正交 |
晶胞參數(shù)Å | a=5.43、b=5.50、c=7.71 |
熔點(diǎn) | 1600℃ |
密度 | 7.57g/cm3 |
介電常數(shù) | 25 |
生長方法 | 提拉法 |
尺寸 | 10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20, Ф15,Ф20,Ф1″,Ф2″,Ф2.6″ |
厚度 | 0.5mm,1.0mm |
拋光 | 單面或雙面 |
晶向 | <100> <110> <111> |
晶面定向精度: | ±0.5° |
邊緣定向精度: | 2°(要求可達(dá)1°以內(nèi)) |
斜切晶片 | 可按某些需求,加工邊緣取向的晶面按某些角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片 |
Ra: | ≤5Å(5µm×5µm) |
包裝 | 100級潔凈袋,1000級凈室 |
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