CVD-Si3N4薄膜|Ni襯底La2Zr2O7薄膜
西安齊岳生物供應(yīng)一系列的導(dǎo)電薄膜：
Ni襯底La2Zr2O7薄膜
高溫導(dǎo)涂層導(dǎo)體La2Zr2O7緩沖層薄膜
玻璃上鍍Mo
玻璃上鍍Mo (Mo-coated Sodalime glass )
CVD MoS2薄膜
襯底：Si/SiO2
尺寸：1*1cm、1*5cm、5*5cm、5*10cm
可以做CVD MoS2, BN，WSe2薄膜等
Si鍍Ni薄膜
Si納米線表面Ni薄膜
P型Si(100)化學(xué)鍍NiP薄膜
Si片上鍍Ni薄膜
Si/Ni基復(fù)合薄膜材料
Si+Si3N4薄膜
PE-CVD制備Si/Si3N4薄膜
Si3N4/Si多層紅外干涉濾波薄膜
SiO2,α—Si,Si3N4薄膜
CVD-Si3N4薄膜
Si3N4/FePd/Si3N4薄膜
Si基Si3N4/SiO2雙層駐極體薄膜
Al2O3+Si薄膜(SOS)料
CVD-Si3N4薄膜|Ni襯底La2Zr2O7薄膜
以三氯硅烷和氨氣作為硅源和氮源，利用低壓化學(xué)氣相沉積工藝（LPCVD）在燒結(jié)氮化硅表面制備氮化硅薄膜。考察了工藝參數(shù)對沉積速率的影響，并對薄膜的組成、結(jié)構(gòu)及硬度等性能進(jìn)行了分析。結(jié)果表明，當(dāng)載氣為N2或N2＋H2、沉積溫度為800℃、NH3／HSiCl3流量比為4時(shí)是較佳的工藝條件，此時(shí)薄膜沉積速率可達(dá)23．4nm／min，其膜層主要由Si-N組成，并含有部分Si-O，硬度為HV2865。
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溫馨提示：用于科研哦！（zhn2020.05.19）
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