Si襯底上AlN外延薄膜（Si+AlN dia4）

西安齊岳生物供應一系列的導電薄膜：ITO膜、InAlAs膜、InGaAs膜、InGaP膜、ITO+ZnO、La0.7Sr0.3MnO3 + Pb0.19Zr0.2Ti0.8O3、La0.7Sr0.3MnO3 + PbZr(x)Ti(1-x)O3、SiO2+Pt 薄膜、SrMoO4薄膜、LaFeO3膜、LaNiO3膜、La1-xSrxMnO3膜、La1-xSrxTiO3膜、La2Zr2O7膜、Mo膜、MoS2膜、Ni膜、Pt膜、Si3N4膜、SOS膜、SOI膜SiC?4H?膜P型、SiC-3C膜、SiO2膜、SrTiO3膜、YBCO膜、YIG膜、ZnO膜、摻雜ZnO膜、SrRuO3薄膜、TiO2薄膜、ZnO +Au+Cr、ZnO+SiO2、ZnO+鈉鈣玻璃、ZnO+Pt+Ti（常規尺寸10x10x0.5mm；注：可以按照客戶要求加工）。

Si襯底上AlN外延薄膜（Si+AlN dia4）

代半導體材料是我國十三五規劃的重要組成部分,作為代半導體材料的AlN是一種性能的Ⅲ-V族氮化物材料,具有寬的禁帶寬度、高的表面聲波速度以及高的熱導率,成為紫外與深紫外光電子器件、表面聲波器件、集成電路層等領域的材料。目前常見制備AlN外延薄膜的襯底有藍寶石和SiC,但藍寶石襯底導電導熱性能差,SiC襯*格昂貴,因此其商業化發展。Si襯底因價格低廉、工業化成熟以及大尺寸易制備等特點廣受關注。然而由于Si襯底與AlN間較大的晶格失配和熱失配,Al吸附原子在生長面上遷移率低以及金屬有機化合物氣相沉積技

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溫馨提示：用于科研哦！（zhn2020.05.19）