Si+SiO2+TiO2+Pt+Ni+Ti+Au+SiC外延薄膜
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Si+SiO2+TiO2+Pt+Ni+Ti+Au+SiC外延薄膜
用熱壁CVD法在6H-SiC襯底上生長了SiCGe三元合金,樣品生長呈現(xiàn)出的島狀特征.利用SEM,TEM,EDS和PL等分析手段對薄膜進行了性質研究.發(fā)現(xiàn)樣品包含兩種特征相,由隨機分布的球形島和島周圍較平坦的背景區(qū)域組成.EDS結果表明兩相組分不同:球形島為高Ge區(qū),組分比大于30%;背景區(qū)域Ge含量則低于1%.兩種相的生長速率也不相同,在生長時間相同的情況下,背景區(qū)較薄,且滿布三角形堆垛層錯.樣品的PL峰位于2.2和2.7eV處.分析認為,這兩個峰分別來自球形島和背景區(qū)域的帶間輻射復合.
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| Si+SiO2+Ti+Pt <111>（） | 注：可以按照客戶要求加工 |
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| Si+SiO2+Ni薄膜 | |
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| Si+Ge薄膜 | |
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溫馨提示：用于科研哦！（zhn2020.05.19）
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