GeBi2Te4、CuInP2Se6、銻化銦InSb晶體基片
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GeBi2Te4、CuInP2Se6、銻化銦InSb晶體基片
| 產(chǎn)品名稱： | 銻化銦(InSb)晶體基片 |
| 產(chǎn)品簡介： | |
| 參數(shù)： | 單晶 InSb 摻雜 None;Te;Ge 導(dǎo)電類型 N;N;P 載流子濃度cm-3 1-5x1014 1-2x1015 位錯密度cm-2 <2x102 |
| 產(chǎn)品規(guī)格： | 標(biāo)準(zhǔn)尺寸：2"x0.5mm, 表面粗糙度Ra:<1 注：可按客戶需求定制的方向和尺寸。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1000級凈室，100級凈袋或單片盒封裝 |
相關(guān)產(chǎn)品：
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| Si+SiO2+Ta+Cu薄膜 | |
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| Si+Ge薄膜 | |
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溫馨提示：用于科研哦！（zhn2020.05.19）
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