CVD生長鎳/硅片/玻璃/石英基底石墨烯薄膜
齊岳供應銅基底石墨烯膜
CVD石墨烯薄膜
CVD銅基石墨烯薄膜
CVD生長硅片基底石墨烯薄膜
CVD生長玻璃基底石墨烯薄膜
CVD生長鎳基石墨烯薄膜
CVD生長石英基底石墨烯薄膜
CVD生長 PET基底石墨烯薄膜
CVD生長SiO2/Si基底石墨烯薄膜
CVD藍寶石基底石墨烯薄膜
西安齊岳生物科技有限公司可以提供以下二維納米材料：石墨烯、石墨炔、拓撲體、過渡族金屬硫化物（TMDs）、過渡金屬碳化物和氮化物（MXenes）、六角氮化硼（h-BN）等。
CVD生長鎳/硅片/玻璃/石英基底石墨烯薄膜
該產品支持層數定制（雙層、少層等）。
尺寸：1cm*1cm
透光率：大于97%
單層覆蓋率：大于95%
該產品可應用于科研、柔性顯示、透明導電等領域。
(1)層數可定制：
實現單層、雙層、多層等石墨烯定制服務。
(2) 多種基底石墨烯定制化服務：
為客戶提供多種基底石墨烯，如 PDMS、玻璃、石英、云母、硅片、二氧化硅等石墨烯轉移服務。
(3) 方法石墨烯定制化服務：
如摻雜石墨烯、SiC高載流子遷移率石墨烯定制化服務。
相關文獻：
采用CVD法制備大面積的石墨烯，并將其成功轉移到目標基底上，是石墨烯透明導電薄膜的制備方法。其中，如何實現大面積石墨烯薄膜的轉移是其作為電極材料的研究，同時石墨烯薄膜的結構與性能的內在規律對其在器件領域的應用也關重要。先以銅箔為基底，采用CVD法制備石墨烯薄膜，并成功轉移到透明基底上。通過結構表征和性能測試，考察了生長溫度和氫氣流量大小對石墨烯薄膜結構的影響，并探討了導電性、透光性與薄膜結構的變化規律，為其在透明電極材料的應用提供的實驗基礎。分析結果表明:在1000℃附近溫度范圍內均制得少層石墨烯薄膜，且生長溫度為1000℃時制備的石墨烯缺陷少、層數少、透光性好;石墨烯薄膜的電阻值隨生長溫度的升高呈現線性下降趨勢，這主要是由于生長溫度高有利于石墨烯薄膜的生長，產生的結構缺陷少，因而薄層電阻降低。對石墨烯薄膜的結構與性能之間內在聯系進行的探究，為其作為一種寬波長窗口電極材料的應用提供了新思路。傳統的CVD法是以銅、鎳等金屬作為基底催化生長石墨烯薄膜，在向目標基底轉移過程中不可避免地引入了雜質和結構缺陷，這地局限了其應用發展。研究表明，直接在體或半導體上生長石墨烯薄膜有望解決這一問題。因此，嘗試以SiO2為基底，利用CVD法直接合成無轉移的石墨烯薄膜。初步研究了CVD生長過程中采用的輔助手段對SiO2基底上生長石墨烯的影響，并討論了其可能的生長機理。
相關產品；
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溫馨提示：
西安齊岳生物科技有限公司供應的石墨烯、蛋白產品，納米材料，PEG共聚物、脂質體等供科研，不能用于人體實驗。（zhn2020.05.13）
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