N氮摻雜mxenes-Ti2C/Nb2C/V2C/Ti3C2定制
氮摻雜mxenes
氮化mxene Ti2C-N
氮化mxene Nb2C-n
氮化mxene V2C-N
氮化mxene Ti3C2-N
西安齊岳生物科技有限公司可以提供推出一系列二維納米材料：Mxene、過渡金屬碳化物和氮化物（MXenes）、MAX相陶瓷材料;也提供MXene-氧化石墨烯、二維過渡族金屬碳(氮)化物與納米顆粒復合材料、聚合物插層改性MXene/MAX材料、無機非金屬插層MXenes基復合材料、金屬氧/硫化合物插層MXenes基復合材料等一系列定制合成產品
N氮摻雜mxenes-Ti2C/Nb2C/V2C/Ti3C2定制
產品描述：
雖然MXene材料理論電容量高，但是其潛在的層間儲能空間并沒有被*利用，其原因在于二維材料自身具有較大的表面能，片層間的聚集和堆疊難以避免，不利于電解液的傳輸，嚴重降低了MXene片層的電化學利用率。另外，MXene不規則的形狀與較小片層尺寸，也使MXene之間存在較大的接觸電阻，了MXene導電網絡的形成。為了克服這一缺點，許多研究工作借鑒制備石墨烯雜化結構的方法，將MXene與聚合物(聚吡咯(PPy)、聚苯胺(PANI)、聚乙烯醇(PVA)、聚丙酰胺(PAM)、海藻酸鈉(SA))、碳材料(graphene、CNT)和金屬氧化物(Fe2O3、Cu2O、MnO2、TiO2、SnO2、LDHs)復合用于制備電容器的電極材料，但是這將使器件變厚，同時使MXene的導電性得不到發揮，降低了電容器的性能。為了進一步MXene材料的電化學性能，雜原子(氮、硫、磷)摻雜是一條行之的方法。前期對氮摻雜石墨烯的研究表明，石墨烯表面和邊緣的吡啶N、吡咯N和石墨化N可以贗電容和導電性。另外，也有文獻報道，N原子進入二氧化鈦可以縮小在N摻雜TiO2光催化劑的帶隙。因此，可以，N摻雜也有望調整MXene的電子結構，使其具有的電化學性能。，關于MXene在N摻雜方向的研究有溶劑熱法、等離子處理法、微波輻照氣相法和熱處理法等。溶劑熱法進行N摻雜往往會生成許多小分子副產物；利用等離子法進行N摻雜使MXene部分碳原子被氮原子取代，但這樣做會其自身的穩定結構；采用微波輻照氣相法進行N摻雜反應周期長、操作繁瑣，不利于大規模制備；相比較而言，熱處理法在氨氣中進行摻雜，無副產物生成，易于控制?，F有報道中熱處理法制備N摻雜MXene過程中，為了摻氮，采用NH3、H2和Ar的混合氣，并在600～1000℃下進行摻氮，H2屬于易燃易爆氣體，因而實際生產中存在隱患。因此，研究的N摻雜MXene的制備工藝，以及研究其在微型電容器領域的應用具有重要的現實意義。
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