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硅APD探測模塊 SPDSi

    上海屹持光電單光子計數(shù)模塊SPDSi是基于Si-APD的超靈敏光電探測器。探測波段覆蓋200 -1060 nm，可工作在線性模式和蓋革模式。蓋革模式下增益超過60 dB。SPDSi*的高性能主動抑制電路，可以實現(xiàn)連續(xù)的單光子探測，并且可加載任意寬度和周期的探測門。該電路實現(xiàn)了大于20 dB的雪崩抑制，從而將Si APD的性能發(fā)揮到優(yōu)秀狀態(tài)。在700 nm波段的探測效率超過60%，暗計數(shù)200-2000 cps，死時間小于50 ns。  

SPDSi標準型號的有效光敏探測面積最高可達500 um，單光子計數(shù)信號在模塊內部轉化為數(shù)字TTL信號，并通過SMA接口送出。高度集成的模塊化設計便于OEM應用和工業(yè)集成。  

APD通過模塊內部制冷工作在-20 ℃的低溫環(huán)境下，以獲得優(yōu)秀的信噪比。制冷模塊由高效的TEC控制。控制精度可達±0.2 ℃。  

技術特點：  

高探測效率：65%@700 nm；         500  um光敏面積；  

TTL數(shù)字信號輸出；                       低暗計數(shù)；  

低后脈沖；                                   低時間抖動；  

應用領域：  

熒光測量；                                   激光測距；  

量子通信；                                   光譜測量；                                          

光子關聯(lián)；                                   自適應光學；  

               Fig1. 量子效率                                                                                    Fig2.  Si單光子探測器

Fig3.  Si單光子探測器結構圖

產品參數(shù)：

產品說明：

1.          不正確的電壓可能損壞模塊，應保證接入電源不高于28V，并可提供足夠電流。

2.          APD屬于高靈敏光電探測器件，在雪崩狀態(tài)下應控制輸入光信號強度，過高的光強可能損壞APD，這種損害可能降低APD的探測靈敏度，嚴重時甚至會造成二極管擊穿。

3.          在特殊的應用場景下，應保證模塊的工作溫度不超過50  ℃，過高的溫度可能導致APD工作溫度上升，從而引起暗計數(shù)水平升高。

4.          SPDSi的默認死時間為50ns。死時間設定會影響模塊的最大計數(shù)率，當死時間設定在50ns時，最大計數(shù)率為10Mcps，如您的應用對死時間設定有特別要求，請在訂購時與我們聯(lián)系。

5.          同樣，輸出信號的脈寬也會影響最大計數(shù)率，典型脈寬為30 ns，如您的應用對輸出信號有特別要求，請在訂購時與我們聯(lián)系。

6.          SPDSi支持空間和光纖接口接入。

單光子探測器選型：