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| 供貨周期 | 兩周 | 應用領域 | 環保,化工,電子 |
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光折變晶體：SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BSO硅酸鉍晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體
光折變效應是局部折射率通過光強度的空間變化而改變的現象。當形成空間變化的照明圖案的光折射材料中，相干光彼此干涉時，可強烈觀察到。這是由于漂移或擴散和空間電荷分離效應，在遷移材料中產生電荷載流子。產生的所產生的電場通過電光效應引起折射率變化。其中一些應用是空間光調制器，4波混頻，相位共軛，光存儲器和計算。
Sillenite單晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）顯示了不同物理性質的組合。BSO和BGO晶體是非常有效的光電導體，具有低暗電導率，允許建立大的光誘導空間電荷。光電導性和光電特性的強烈光譜依賴性允許開發和生產各種各樣的光學器件和系統。BSO和BGO晶體用于空間光調制器，動態實時全息記錄設備，相位共軛波混合，光學相關器和光學激光系統，用于超短光脈沖的自適應校正。光誘導吸收使其有可能開發和生產“光 - 光"型光學器件，如光學調制器，開關等。 通過不同技術制造氧化亞錫薄膜晶體結構允許開發包括光學波導，集成光學器件的多種裝置。基于Sillenites的波導光學結構的使用允許在寬光譜范圍內實現均勻照射（通常到波導平面）。
BGO SBN
光折變晶體：SBN鍶鋇鈮酸鹽晶體/BGO鍺酸鉍晶體/Fe:LNB摻鐵鈮酸鋰晶體
| 晶體 | Bi 12 SiO 20（BSO） | Bi 12 GeO 20（BGO） | Fe：LiNbO 3 | SBN x = 0.60 | SBN x = 0.75 |
晶體結構 | 立方，點組：23 | 立方，點組：23 | 三角形，3m | 4mm | 4mm |
晶格（胞）參數，? | 10.10 | 10.15 | - | a = 12.46，c = 3.946 | a = 12.43024，c = 3.91341 |
透射范圍，μm | 0.4-6 | 0.4-7 | 0.35 - 5.5 | 0.3 5 - 6.0 | 0.35 - 6.0 |
折射率在0.63μm | 2.54 | 2.55 | 2.20（ne），2.29（no） | n e = 2.33，n o = 2.36 @0.51μm | n e = 2.35，n o = 2.37 @0.51μm |
電光系數r41，pm / V | 5 | 3.5 | r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32 | r 13 = 47，r 33 = 235 | r 13 = 67，r 33 = 1340 |
光學活性，500納米處的deg / mm | 42 | 41.5 | - | - | - |
在600nm處為 - deg / mm | 25 | 24 | - | - | - |
密度，g / cm 3 | 9.15 | 9.2 | 4.64 | 5.4 | 5.4 |
莫氏硬度 | 5 | 5 | 5 | 5.5 | 5.5 |
熔點，C | 890 | 920 | 1255（Tc = 1140） | 1500±10°C | 1500±10°C |
介電常數 | 56 | 40 | 85（e11）30（e33） | 880 | 3400 |
暗電阻，歐姆厘米 | 10 14 | 10 14 | - | - | - |
吸收系數@0.44μm | - | - | - | 0.3cm -1 | - |
在25°C時的熱導率 | - | - | - | 0.006 W / cm * K | |
@ 1370至1470℃下 | - | - | - | - | 0.008 W / cm * K |
熱光系數dn e / dT | - | - | - | 3×10 -4 K -1 | - |
居里溫度 | - | - | - | 75℃ | 56℃ |
半波電壓 | - | - | - | 240伏 | 48 V |
我們可提供棒或薄片，由具有不同橫截面和尺寸的薄膜光折射晶體制成。不同濃度的不同摻雜劑可滿足特定客戶的要求。
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