先來談靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)是什么？這應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)過度電應(yīng)力破壞的主要元兇。因?yàn)殪o電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏)，所以這種損傷是毀滅性和性的，會(huì)造成電路直接燒毀。所以預(yù)防靜電損傷是所有IC設(shè)計(jì)和制造的頭號(hào)難題。
靜電，通常都是人為產(chǎn)生的，如生產(chǎn)、組裝、測試、存放、搬運(yùn)等過程中都有可能使得靜電累積在人體、儀器或設(shè)備中，甚至元器件本身也會(huì)累積靜電，當(dāng)人們?cè)诓恢榈那闆r下使這些帶電的物體接觸就會(huì)形成放電路徑，瞬間使得電子元件或系統(tǒng)遭到靜電放電的損壞(這就是為什么以前修電腦都必須要配戴靜電環(huán)托在工作桌上，防止人體的靜電損傷芯片)，如同云層中儲(chǔ)存的電荷瞬間擊穿云層產(chǎn)生劇烈的閃電，會(huì)把大地劈開一樣，而且通常都是在雨天來臨之際，因?yàn)榭諝鉂穸却笠仔纬蓪?dǎo)電通到。
那么，如何防止靜電放電損傷呢？首先當(dāng)然改變壞境從源頭減少靜電(比如減少摩擦、少穿羊毛類毛衣、控制空氣溫濕度等)，當(dāng)然這不是我們今天討論的重點(diǎn)。
我們今天要討論的時(shí)候如何在電路里面涉及保護(hù)電路，當(dāng)外界有靜電的時(shí)候我們的電子元器件或系統(tǒng)能夠自我保護(hù)避免被靜電損壞(其實(shí)就是安裝一個(gè)避雷針)。這也是很多IC設(shè)計(jì)和制造業(yè)者的頭號(hào)難題，很多公司有專門設(shè)計(jì)ESD的團(tuán)隊(duì)，今天我就和大家從最基本的理論講起逐步講解ESD保護(hù)的原理及注意點(diǎn)，你會(huì)發(fā)現(xiàn)前面講的PN結(jié)/二極管、三極管、MOS管、snap-back全都用上了。。。
以前的專題講解PN結(jié)二極管理論的時(shí)候，就講過二極管有一個(gè)特性：正向?qū)ǚ聪蚪刂梗曳雌妷豪^續(xù)增加會(huì)發(fā)生雪崩擊穿而導(dǎo)通，我們稱之為鉗位二極管(Clamp)。這正是我們?cè)O(shè)計(jì)靜電保護(hù)所需要的理論基礎(chǔ)，我們就是利用這個(gè)反向截止特性讓這個(gè)旁路在正常工作時(shí)處于斷開狀態(tài)，而外界有靜電的時(shí)候這個(gè)旁路二極管發(fā)生雪崩擊穿而形成旁路通路保護(hù)了內(nèi)部電路或者柵極(是不是類似家里水槽有個(gè)溢水口，防止水龍頭忘關(guān)了導(dǎo)致整個(gè)衛(wèi)生間水災(zāi))。
那么問題來了，這個(gè)擊穿了這個(gè)保護(hù)電路是不是就死了？難道是一次性的？答案當(dāng)然不是。PN結(jié)的擊穿分兩種，分別是電擊穿和熱擊穿，電擊穿指的是雪崩擊穿(低濃度)和齊納擊穿(高濃度)，而這個(gè)電擊穿主要是載流子碰撞電離產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)(electron-hole)，所以它是可恢復(fù)的。但是熱擊穿是不可恢復(fù)的，因?yàn)闊崃烤奂瘜?dǎo)致硅(Si)被熔融燒毀了。所以我們需要控制在導(dǎo)通的瞬間控制電流，一般會(huì)在保護(hù)二極管再串聯(lián)一個(gè)高電阻，
另外，大家是不是可以舉一反三理解為什么ESD的區(qū)域是不能form Silicide的？還有給大家一個(gè)理論，ESD通常都是在芯片輸入端的Pad旁邊，不能在芯片里面，因?yàn)槲覀兛偸窍Ｍ饨绲撵o電需要第一時(shí)間泄放掉吧，放在里面會(huì)有延遲的(關(guān)注我前面解剖的那個(gè)芯片PAD旁邊都有二極管。甚至有放兩級(jí)ESD的，達(dá)到雙重保護(hù)的目的。
在講ESD的原理和Process之前，我們先講下ESD的標(biāo)準(zhǔn)以及測試方法，根據(jù)靜電的產(chǎn)生方式以及對(duì)電路的損傷模式不同通常分為四種測試方式：人體放電模式(HBM: Human-Body Model)、機(jī)器放電模式(Machine Model)、元件充電模式(CDM: Charge-Device Model)、電場感應(yīng)模式(FIM: Field-Induced Model)，但是業(yè)界通常使用前兩種模式來測試(HBM, MM)。
1、人體放電模式(HBM)：當(dāng)然就是人體摩擦產(chǎn)生了電荷突然碰到芯片釋放的電荷導(dǎo)致芯片燒毀擊穿，秋天和別人觸碰經(jīng)常觸電就是這個(gè)原因。業(yè)界對(duì)HBM的ESD標(biāo)準(zhǔn)也有跡可循(MIL-STD-883C method 3015.7，等效人體電容為100pF，等效人體電阻為1.5Kohm)，或者國際電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(EIA/JESD22-A114-A)也有規(guī)定，看你要follow哪一份了。如果是MIL-STD-883C method 3015.7，它規(guī)定小于<2kV的則為Class-1，在2kV~4kV的為class-2，4kV~16kV的為class-3。
2、機(jī)器放電模式(MM)：當(dāng)然就是機(jī)器(如robot)移動(dòng)產(chǎn)生的靜電觸碰芯片時(shí)由pin腳釋放，次標(biāo)準(zhǔn)為EIAJ-IC-121 method 20(或者標(biāo)準(zhǔn)EIA/JESD22-A115-A)，等效機(jī)器電阻為0 (因?yàn)榻饘?，電容依舊為100pF。由于機(jī)器是金屬且電阻為0，所以放電時(shí)間很短，幾乎是ms或者us之間。但是更重要的問題是，由于等效電阻為0，所以電流很大，所以即使是200V的MM放電也比2kV的HBM放電的危害大。而且機(jī)器本身由于有很多導(dǎo)線互相會(huì)產(chǎn)生耦合作用，所以電流會(huì)隨時(shí)間變化而干擾變化。
ESD的測試方法類似FAB里面的GOI測試，pin之后先給他一個(gè)ESD電壓，持續(xù)一段時(shí)間后，然后再回來測試電性看看是否損壞，沒問題再去加一個(gè)step的ESD電壓再持續(xù)一段時(shí)間，再測電性，如此反復(fù)直至擊穿，此時(shí)的擊穿電壓為ESD擊穿的臨界電壓(ESD failure threshold Voltage)。通常我們都是給電路打三次電壓(3 zaps)，為了降低測試周期，通常起始電壓用標(biāo)準(zhǔn)電壓的70% ESD threshold，每個(gè)step可以根據(jù)需要自己調(diào)整50V或者100V
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