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北京亞科晨旭科技有限公司
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對應光學器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置

參  考  價面議
具體成交價以合同協議為準

產品型號NE-550NLD-5700

品       牌

廠商性質生產商

所  在  地北京市

更新時間:2024-09-25 13:37:31瀏覽次數:1494次

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產地類別 進口 價格區間 150萬-200萬
應用領域 電子
對應光學器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700是搭載了磁性中性線(NLD- neutral loop discharge)等離子源的量產用干法刻蝕裝置。(此愛發科的NLD技術設備可實現產生低壓、低電子溫度、高密度的等離子)

量產用刻蝕設備NE-5700/NE-7800

 

量產用刻蝕設備NE-5700/NE-7800是可以對應單腔及多腔、重視性價比擁有擴展性的刻蝕設備。

 

產品特性 / Product characteristics

 除單腔之外,另可搭載有磁場ICP(ISM)或NLD等離子源、去膠腔體、CCP腔體等對應多種刻蝕工藝。

為實現制程再現性及安定性搭載了星型電極及各種調溫技能。

擁有簡便的維護構造,實現downtime短化,提供清洗、維護及人員訓練服務等綜合性的售后服務體制。

專門的半導體技術研究所會提供萬全的工藝支持體制。

 

產品應用 / Product application

化合物(LED或LD、高頻器件)或Power device(IGBT配線加工、SiC加工)。

金屬配線或層間絕緣膜(樹脂類)、門電極加工工藝

強電介質材料或貴金屬刻蝕。

磁性體材料加工。

 

 

高密度等離子刻蝕裝置ULHITETM NE-7800H

 

高密度等離子客戶裝置ULHITE NE-7800H是對應刻蝕FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM等器件所用的高難度刻蝕材料(強電介質層、貴金屬、磁性膜等)的Multi-Chamber型低壓高密度等離子刻蝕設備。

 

 

產品特性 / Product characteristics

有磁場ICP(ISM)方式-可產生低圧?高密度plasma、為不揮發性材料加工的設備。

可提供對應從常溫到高溫(400ºC)的層積膜整體刻蝕、硬掩膜去除的刻蝕解決方案。

通過從腔體到排氣line、DRP為止的均勻加熱來防止沉積物。

該設備采用可降低養護清洗并抑制partical產生的構造和材料及加熱機構,是在不揮發性材料的刻蝕方面擁有豐富經驗的量產裝置。

實現了長期的再現性、安定性

 

產品應用 / Product application

   FeRAM, MRAM, ReRAM, CBRAM, PcRAM等.

 

 

研究開發向NLD干法刻蝕設備NLD-570

 

研究開發向NLD干法刻蝕設備NLD-570,是搭載了愛發科獨chuang的磁性中性線(NLD- neutral loop discharge)等離子源的裝置,此NLD技術可實現產生低壓、低電子溫度、高密度的等離子。

 

產品特性 / Product characteristics

   NLD用于與ICP方式相比更低壓、高密度、更低電子溫度等離子體的石英、玻璃、水晶、LN/LT基板的加工。

 高硬玻璃、硼硅酸玻璃等不純物的多種玻璃加工,在形狀或表面平滑性方面有優異的刻蝕性能。

 石英及玻璃作為厚膜resist mask時的也可實現深度刻蝕(100μ m以上)。

 可實現高速刻蝕(石英>1μ m/min、Pyrex>0.8μ m/min)

 可追加cassette室。

 

產品應用 / Product application

  光學器件(光衍射格子、変調器、光開關等等)、凹凸型微透鏡。流體路徑作成或光子學結晶。

 

 

干法刻蝕設備 APIOS NE-950EX

對應LED量產的干法刻蝕設備?NE-950EX?相對我司以往設備實現了140%的生產力。是搭載了ICP高密度等離子源和愛發科獨自開發的星型電極的干法刻蝕設備。

 

產品特性 / Product characteristics

  4inch晶圓可放置7片同時處理,6inch晶圓可實現3片同時處理,小尺寸晶圓方面,2inch晶圓可實現29片、3英寸可對應12片同時處理。

 搭載了在化合物半導體領域擁有600臺以上出貨實績的有磁場ICP(ISM)高密度等離子源。

 高生產性(比以前提高140%)。

  為防止RF投入窗的污染待在了愛發科獨自開發的星型電極。

 *貫徹Depo對策,實現了維護便利、長期穩定、高信賴性的硬件。

 擁有豐富的工藝應用的干法刻蝕技術(GaN藍寶石、各種metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半導體)。

 豐富的可選機能。

 

產品應用 / Product application

對應LED的GaN、藍寶石、各種金屬、ITO等的干法刻蝕設備

 

對應光學器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700

 

對應光學器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700是搭載了磁性中性線(NLD- neutral loop discharge)等離子源的量產用干法刻蝕裝置。(此愛發科獨chuang的NLD技術設備可實現產生低壓、低電子溫度、高密度的等離子)

 

產品特性 / Product characteristics

 •      在潔凈房內作業可擴張為雙腔。(可選配腔室:NLD、有磁場ICP、CCP或者去膠室)

NLD為時間空間可控的等離子,因此設備干法清潔容易。

腔體維護簡便。

從掩模刻蝕到石英、玻璃刻蝕,可提供各類工藝解決方案。

專門的半導體技術研究所會提供萬全的工藝支持體制。

 

產品應用 / Product application

光學器件(折射格子、光波導、光學開關等等)、凹凸型微透鏡。

流體路徑作成或光子學結晶。

 

 

批處理式自然氧化膜去除設備 RISE-300

批處理式自然氧化膜去除設備RISETM-300是用于去除位于LSI的Deep-Contact底部等難以去除的自然氧化膜的批處理式預清洗裝置。可處理200mm,300mm尺寸晶圓。

 

產品特性 / Product characteristics

高產率以及低CoO

良好的刻蝕均一性(小于±5%/批)和再現性

干法刻蝕

Damage-Free(遠端等離子、低溫工藝)

自對準接觸電阻僅為濕法的1/2

靈活的裝置布局

高維護性(方便的側面維護)

300mm晶圓批處理:50枚/批

 

產品應用 / Product application

自對準接觸形成工藝前處理

電鍍工藝前處理

晶膜生長前處理

Co/Ni自對準多晶硅化物的前處理

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