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ATPAK封裝采用夾焊技術提升散熱性

隨著封裝尺寸變得更小，器件內的溫度往往增高，因為它變得更難于導出多余熱量。而散熱性對總能效、安全及系統可靠性至關重要。ATPAK封裝采用夾焊技術，可將熱阻抗及總導通電阻降至低，比采用傳統的金屬線粘結的DPAK封裝大大提升電流處理能力。熱阻抗是指1 W熱量所引起的溫升大小，單位為℃/W。熱阻抗越低，散熱性越好。經選用相同規格的ATPAK和 DPAK 器件進行測試和對比，結果顯示即使無散熱片時的熱阻抗相同，在采用散熱片后 ATPAK 比 DPAK 的熱阻抗低 6℃/W。具體測試詳情
傳統的金屬線粘結使用金、銅或鋁來連接封裝中硅芯片的每個電極。然而，由于每種線都相對較薄，這從根本上限制了電流處理。通過增添更多并聯的導線可減少這限制，但這將影響整體成本，且可并聯邦定的導線數量有實際限制。由于汽車功率MOSFET在高溫環境下執行大電流驅動控制，低導通阻抗是汽車方案的一項關鍵性能因數。對于低導通電阻的MOSFET，導線電阻可代表封裝中相當大的總阻抗。尤其在要求導通阻抗低于20 mΩ的應用中，導線的阻抗不能忽略。

夾焊技術使用銅夾直接連接每個電極，可大幅降低漏-源極路徑電氣阻抗，從而降低導通阻抗，并實現更好的熱傳導。測試結果顯示，夾焊比鋁線粘結降低30%的導通阻抗，比金線粘結降低達90%的導通阻抗。而且夾焊技術使用寬橫截面積的銅板，大大提高了電流處理能力，消除傳統工藝中高電流可熔斷導線的問題。

ATPAK電流處理能力高達100 A，這也是D2PAK能達到的大電流處理能力。而且，ATPAK的成本幾乎與DPAK一樣。因此，在設計中采用ATPAK替代D2PAK，既可減小50%的封裝尺寸，又可實現相同的性能，達到節省空間和提升功率處理能力的雙重目的，還不增加成本。

ATPAK P溝道功率MOSFET的優勢

經與競爭對手的P溝道MOSFET相比，安森美半導體的ATPAK P溝道MOSFET提供更小的尺寸、更低的導通阻抗、更高的電流處理能力和更出色的抗雪崩能力。抗雪崩能力指的是電感中存儲的能量放電到功率MOSFET中時的易受影響程度。此外，靜電放電(ESD)總是封裝及實際使用要克服的挑戰，汽車應用環境中可能會出現ESD，原因是機械摩擦，此外，干燥的空氣往往也會增加靜電放電。ESD可能會導致機械故障。所以安森美半導體的ATPAK P溝道功率MOSFET嵌入保護二極管以增強ESD強固性。

相比N溝道MOSFET需要電荷泵以降低導通阻抗，P溝道方案無需電荷泵，以更少的元件提供更簡單和更可靠的驅動。

安森美半導體的P溝道汽車MOSFET產品陣容

安森美半導體提供寬廣的P溝道MOSFET產品系列以滿足各種不同的汽車應用需求，采用ATPAK封裝的P溝道MOSFET由于低導通電阻和的散熱性，可用于達65 W的應用。設計人員可根據具體設計需求選擇適合的MOSFET。