n型有機(jī)半導(dǎo)體材料

PhC₂-BQQDI和PhC₃-BQQDI

本產(chǎn)品為n型有機(jī)半導(dǎo)體材料，其具有優(yōu)異的大氣穩(wěn)定性和電子遷移速度。

n型有機(jī)半導(dǎo)體材料PhC_n-BQQDI，無(wú)論采用真空沉積法，還是涂布法，均可形成再現(xiàn)性良好的成膜，但C₂體（n=2）適合涂布法，而C₃體（n=3）適合氣相沉積法。

◆基本信息

◆特點(diǎn)

可用于氣相沉積法和涂布法的高性能n型有機(jī)半導(dǎo)體材料。

■ 高遷移性

· 涂布結(jié)晶形成的單晶在大氣中的電子遷移速度為3 cm²/Vs

· 真空蒸鍍膜在大氣中的電子遷移速度超過(guò)0.6 cm²/Vs

■ 高穩(wěn)定性

· 可在大氣中長(zhǎng)期保持穩(wěn)定，不受器件結(jié)構(gòu)的影響

· 單晶有機(jī)薄膜晶體管（OFET）可維持半年以上，蒸鍍法OFET可維持一個(gè)月以上

· 遷移性降低率小于10%

■ 高耐性（PhC₂-BQQDI）

· 在單晶OFET中，選擇任意基板，都具有超過(guò)150°C的高耐熱應(yīng)力

· 良好的偏壓應(yīng)力

◆數(shù)據(jù)

①PhC₂-BQQDI

LUMO能級(jí)估算、大氣·熱穩(wěn)定性評(píng)估

● 通過(guò)循環(huán)伏安法（Cyclic Voltammetry，簡(jiǎn)稱CV），估計(jì)LUMO為?4.11 eV（4-Hep-BQQDI具有優(yōu)異的溶解性）

● 通過(guò)熱重-差熱分析法（Thermogravimetry?Differential Thermal Analysis，簡(jiǎn)稱TG?DTA），在421 °C下未觀察到

  分解或相變的熱異常

● 大氣儲(chǔ)存下采用氣相沉積法形成的100 nm薄膜在1個(gè)月內(nèi)的紫外-可見(jiàn)光（UV-Vis）光譜無(wú)變化。

團(tuán)聚體結(jié)構(gòu)

呈磚砌型團(tuán)聚體結(jié)構(gòu)，能夠觀察到相鄰BQQDI骨架之間的多分子相互作用，并可實(shí)現(xiàn)二維電荷傳輸。

PhC₂-BQQDI的單晶OFET

②PhC₃-BQQDI

PhC₃-BQQDI單晶結(jié)構(gòu)與LUMO之間的轉(zhuǎn)移積分。

評(píng)估大氣中真空氣相沉積OTFT特性（通道長(zhǎng)/寬=100 µm/1000 µm）

（a）OTFT結(jié)構(gòu)圖

（b）PhC₂-BQQDI和（c）PhC₃-BQQDI在飽和區(qū)隨基板溫度變化的傳輸特性（漏極電壓：50 V）

藍(lán)線：室溫、綠線：100°C、紅線：180°C

（d）PhC₂-BQQDI及（e）PhC₃-BQQDI的遷移速度在大氣中的經(jīng)時(shí)變化

③PhC₂-BQQDI與PhC₃-BQQDI

?：在飽和區(qū)（漏極電壓=50 V）時(shí)評(píng)估

?：柵極電壓=50 V時(shí)的估算值