變速方式 | 變頻變速 | 電機功率 | 3kW |
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調速范圍 | 0-2000r/min | 分散輪直徑 | 500mm |
罐容量 | 50L | 類型 | 剪切分散機 |
升降行程 | 1000mm | 速度范圍 | 400-1200rpm |
速度類別 | 無級變速 | 外形尺寸(長*寬*高) | 2000*1800mm |
應用領域 | 環保,食品,生物產業,石油,能源 | 整機重量 | 350Kg |
產品簡介
詳細介紹
- 制備分散體系的一種方法。其原則是從大塊物質出發,利用機械研磨或超聲分散等分散手段將其粉碎,制成分散體系 。常用的機械研磨設備有球磨機、砂磨機和膠體磨等,但它們通常只能將物質磨細到1μm左右。超聲分散則廣泛用于制備乳狀液。
- 工業生產超聲波分散設備可用于石墨烯,油墨涂料等分散,均質化處理;石油乳化;中藥萃取加工;細胞,壓載水破碎,消毒處理;化工原料加速反應等方面。
- 分散方法對比
1.微機械剝離法
- 用膠帶直接將石墨烯薄片從較大的晶體上剝離下來,不斷重復這個過程。
- 使用一種材料與膨化或引入缺陷的熱解石墨進行摩擦,體相石墨的表面會產生絮片狀的晶體,絮片狀晶體中含有單層石墨烯。
- 缺點:石墨烯產量低,面積小,難以精確控制尺寸,效率低,不能大規模制備。
2.化學氣相沉積法
- 將一種或多種含碳的氣態物質(通常為低碳的有機物氣體)通入到真空反應器中,通過高溫使含碳的氣體分解碳化(通常為低碳的有機物氣體),在基底表面生長出一種碳單質的過程。
- 缺點:石墨烯的六角蜂窩狀晶體結構,無法*石墨化,品質不如微機剝離法的好,高昂的成本及苛刻的設備要求都限制了其規模化制備石墨烯,還需要加入催化劑降低了石墨烯純度。
3.晶體外延取向生長法
- 一種是通過加熱單晶 6H-SiC 脫除 Si,從而在 SiC 晶體表面外延生長石墨烯。石墨烯和 Si 層接觸,這種石墨烯的導電性受到基底影響;另一種是利用金屬單晶中的微量碳成分,通過在超高真空下高溫退火,金屬內碳元素在金屬單晶表面析出石墨烯。
- 缺點:石墨烯薄膜厚度不均勻,難以控制,生成的石墨烯緊緊地黏貼在基底上難以剝離,會影響石墨烯的特性。同時需在超真空及高溫條件下生長,條件極為苛刻,設備要求高,無法實現大規模、可控制備石墨烯。
4.氧化石墨還原法
- 氧化石墨烯一般由石墨經強酸氧化而得。主要有三種制備氧化石墨的方法:Brodie法,Staudenmaier法和Hummers法,其中Hummers法石墨烯分散需加入超聲波輔助。
- 特點:Hummers法石墨烯分散:方法簡單,耗時較短,處理量大,安全無污染,是目前常用的一種。
5.超聲輔助法
- 工業生產超聲波分散設備采用超聲波輔助Hummers法制備氧化石墨烯,是以液體為媒介,在液體中加入高頻率超聲波振動。由于超聲是機械波,不被分子吸收,在傳播過程中引起分子的振動運動。空化效應下,即高溫、高壓、微射流、強烈振動等附加效應下分子間的距離因振動增加其平均距離,導致分子破碎。能更有效地提高氧化石墨層間距,且隨著超聲波功率的提高,所得到的氧化石墨的層間距呈擴大趨勢。
- Industrial ultrasonic dispersion equipment uses ultrasonic assisted Hummers method to prepare graphene oxide, which is based on the medium of liquid, adding high frequency ultrasonic vibration to the liquid. Because ultrasound is a mechanical wave, which is not absorbed by molecules, it causes molecular vibration in the process of propagation. Under the cavitation effect, that is, high temperature, high pressure, micro jet, strong vibration and other additional effects, the distance between molecules increases its average distance due to vibration, resulting in molecular breakage. With the increase of ultrasonic power, the layer spacing of graphite oxide is increasing.
- 超聲波瞬間釋放的壓力破壞了石墨烯層與層之間的范德華力,使得石墨烯更加不容易團聚在一起。層間距較大的氧化石墨不僅有利于其他分子、原子等插入層間形成氧化石墨插層復合材料,而且易于被剝離成單層氧化石墨,為進一步制備單層石墨烯打下基礎。